【技术实现步骤摘要】
一种驱动EML型激光器的输出级电路
[0001]本专利技术涉及微电子
，更为具体地说，涉及一种驱动EML型激光器的输出级电路。
技术介绍
[0002]在高速光通信的应用中，激光器的驱动电路是一个关键组件，其一般包括可变增益放大器、均衡器、预放大器和输出级电路，其中输出级直接与激光器相连，输出级电路的设计与激光器联系紧密。
[0003]EML(Electro
‑
absorption modulated laser，电吸收调制)激光器是一种外调制激光器，在中长距离的光通信中应用广泛，是一种电压驱动型激光器，其一般需要1Vpp～2Vpp的电压摆幅；在现有技术中，高速EML驱动结构多采用GaAs、GeSi和InP工艺，但是其成本高昂；而采用Si基CMOS(Complementary Metal
‑
Oxide
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Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺制备驱动结构，可以降低制造成本，利于集成，但是这将面临MOS管耐压不够的问题。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种驱动EML型激光器的输出级电路，其特征在于，包括：共源共栅结构、偏置电路和可控调节电路；所述共源共栅结构包括共栅差分对、共源差分对、尾电流源MOS管和虚拟负载，所述共栅差分对包括第一MOS管和第二MOS管，所述共源差分对包括第三MOS管和第四MOS管；所述第一MOS管的漏极与虚拟负载电连接，所述第一MOS管的源极与第三MOS管的漏极电连接，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的漏极为所述输出级电路的输出端，所述第二MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极电连接；所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极电连接，所述第三MOS管的栅极接入第一输入信号，所述第四MOS管的栅极接入第二输入信号，所述第一输入信号和所述第二输入信号为差分信号；所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅氧厚度大于所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅氧厚度；所述尾电流源MOS管的漏极与所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极电连接，所述尾电流源MOS管的源极接地，所述尾电流源MOS管的栅极与所述偏置电路电连接，所述偏置电路与所述第一MOS管的栅极电连接，所述偏置电路用于输出第一栅极电压偏置信号至所述尾电流源MOS管的栅极，及参考所述尾电流源MOS管的漏极的信号输出第二栅极电压偏置信号至所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极；所述可控调节电路用于参考所述第一栅极电压偏置信号输出调节信号至所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极。2.根据权利要求1所述的驱动EML型激光器的输出级电路，其特征在于，所述虚拟负载包括电容和电阻，所述电容的第一极板与电源电压端电连接，所述电容的第二极板与所述第一MOS管的漏极电连接；所述电阻的第一端与所述电源电压端电连接，所述电阻的第二端与所述第一MOS管的漏极电连接。3.根据权利要求1所述的驱动EML型激光器的输出级电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述尾电流源MOS管均为N型MOS管。4.根据权利要求1所述的驱动EML型激光器的输出级电路，其特征在于，所述偏置电路包括偏置电流源、镜像差分对、镜像输入MOS管、镜像输出MOS管、偏置差分对、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十三MOS管；所述镜像差分对包括第五MOS管和第六MOS管，所述第五MOS管的漏极和所述第六MOS管的漏极均与偏置电流源电连接，所述第五MOS管的栅极接入所述第一输入信号，所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的源极电连接，所述第六MOS管的栅极接入所述第二输入信号；所述镜像输入MOS管的漏极与所述第五MOS管和所述第六MOS管的源极电连接，所述镜像输入MOS管的源极接地，所述镜像输入MOS管的栅极、所述镜像输出MOS管的栅极和所述尾电流源MOS管的栅极均电连接，所述镜像输出MOS管的源极接地；所述偏置差分对包括第七MOS管和第八MOS管，所述第七MOS管和所述第八MOS管的源极均...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈江，郑旭强，刘果果，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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