电容的静电放电失效电压模型的确定方法及装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种电容的静电放电失效电压模型的确定方法及装置。方法包括：获取第一组电容的静电放电试验数据；获取第一组电容的间隙击穿仿真数据；根据间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，间隙击穿电压模型为包括电容的间隙击穿电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式；根据间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型和第一组电容的静电放电试验数据，确定静电放电失效电压模型，静电放电失效电压模型为包括电容的静电放电失效电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式。本公开的技术方案，可以为抗静电定量化设计提供理论依据，提高抗静电设计的准确度和效率。提高抗静电设计的准确度和效率。提高抗静电设计的准确度和效率。

【技术实现步骤摘要】
电容的静电放电失效电压模型的确定方法及装置


[0001]本公开涉及静电放电
，尤其涉及一种电容的静电放电失效电压模型的确定方法及装置。

技术介绍

[0002]目前，对元器件静电放电抗扰度试验已有了较为深入的研究，但由于ESD(ElectroStatic Discharge，静电放电)场的复杂性和ESD试验标准的局限性，设计研制部门只能比较盲目地反复进行试探，来修改抗静电措施，以满足静电放电抗扰度的要求。
[0003]因此，有必要建立电容静电放电失效电压模型，为比较具体的抗静电设计提供理论依据。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种电容的静电放电失效电压模型的确定方法及装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0005]作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种电容的静电放电失效电压模型的确定方法，包括：
[0006]获取第一组电容的静电放电试验数据，静电放电试验数据包括电容的极板正对长度、电容的极板间隙以及电容的静电放电失效电压；
[0007]获取第一组电容的间隙击穿仿真数据，间隙击穿仿真数据包括电容的极板正对长度、电容的极板间隙以及电容的间隙击穿电压；
[0008]根据间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，间隙击穿电压模型为包括电容的间隙击穿电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式；
[0009]根据间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型和第一组电容的静电放电试验数据，确定静电放电失效电压模型，静电放电失效电压模型为包括电容的静电放电失效电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式。
[0010]在一些可能的实现方式中，根据间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，包括：
[0011]根据帕邢定律和介电层缺陷密度理论，确定间隙击穿电压基础模型，间隙击穿电压基础模型为包括电容的间隙击穿电压、电容的极板正对长度、电容的极板间隙、第五参数、第六参数和第七参数的关系式；
[0012]根据间隙击穿仿真数据，对间隙击穿电压基础模型进行模型拟合，确定第五参数、第六参数和第七参数，以确定间隙击穿电压模型。
[0013]在一些可能的实现方式中，间隙击穿电压基础模型满足以下关系式：
[0014][0015]其中，V0为电容的间隙击穿电压，D为电容的极板间隙，L为电容的极板正对长度，k3、e、α分别为第五参数、第六参数和第七参数。
[0016]在一些可能的实现方式中，
[0017]第五参数k3的数值范围为68～71；和/或，
[0018]第六参数e的数值范围为(
‑
0.2)～(
‑
0.4)；和/或，
[0019]第七参数α的数值范围为(
‑
0.104)～(
‑
0.107)。
[0020]在一些可能的实现方式中，静电放电失效电压基础模型满足以下关系式：
[0021][0022]其中，V
esd
为电容的静电放电失效电压，D为电容的极板间隙，L为电容的极板正对长度，V0为电容的间隙击穿电压，a、b、c、d分别为第一参数、第二参数、第三参数和第四参数。
[0023]在一些可能的实现方式中，
[0024]第一参数a的数值范围为0.42～0.62；和/或，
[0025]第二参数b的数值范围为230～234；和/或，
[0026]第三参数c的数值范围为20～21；和/或，
[0027]第四参数d的数值范围为2～4。
[0028]在一些可能的实现方式中，方法还包括：
[0029]获取第二组电容的静电放电试验数据；
[0030]根据间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型、第一组电容的静电放电试验数据和第二组电容的静电放电试验数据，确定修正后的静电放电失效电压模型，修正后的静电放电失效电压模型为包括电容的静电放电失效电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式。
[0031]在一些可能的实现方式中，
[0032]第二组电容的静电放电试验数据中，电容的极板正对长度大于或等于30μm，电容的极板间隙大于或等于5μm；
[0033]修正后的静电放电失效电压模型满足以下关系式：
[0034][0035]其中，V
esd
为电容的静电放电失效电压，D为电容的极板间隙，L为电容的极板正对长度，V0为电容的间隙击穿电压，修正后的第一参数a1的数值范围为0.25～0.45，修正后的第二参数b1的数值范围为252～256，修正后的第三参数c1的数值范围为15～16.5，修正后的第四参数d1的数值范围为5～7.5。
[0036]在一些可能的实现方式中，
[0037]第二组电容的静电放电试验数据中，电容的极板正对长度小于或等于10μm；
[0038]修正后的静电放电失效电压模型满足以下关系式：
[0039][0040]其中，V
esd
为电容的静电放电失效电压，D为电容的极板间隙，L为电容的极板正对长度，V0为电容的间隙击穿电压，修正后的第一参数a2的数值范围为2.5～3.5，修正后的第二参数b2的数值范围为21.5～23，修正后的第三参数c2的数值范围为15～16，修正后的第四参数d2的数值范围为0.4～0.55。
[0041]在一些可能的实现方式中，获取第一组电容的间隙击穿仿真数据，包括：
[0042]建立静电放电模拟器模型、外接探针台等效电路模型和电容模型；
[0043]将静电放电模拟器模型、外接探针台等效电路模型和电容模型连接，以建立电容静电放电仿真模型；
[0044]对电容静电放电仿真模型进行仿真参数设置，以获得第一组电容的间隙击穿仿真数据，第一组电容的间隙击穿仿真数据包括电容的极板正对长度、电容的极板间隙以及相对应的电容的间隙击穿电压。
[0045]在一些可能的实现方式中，电容为T型平板电容。
[0046]作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种电容的静电放电失效电压模型的确定装置，包括：
[0047]第一获取模块，用于获取第一组电容的静电放电试验数据，静电放电试验数据包括电容的极板正对长度、电容的极板间隙以及电容的静电放电失效电压；
[0048]第二获取模块，用于获取第一组电容的间隙击穿仿真数据，间隙击穿仿真数据包括电容的极板正对长度、电容的极板间隙以及电容的间隙击穿电压；
[0049]第一确定模块，用于根据间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，间隙击穿电压模型为包括电容的间隙击穿电压、电容的极板正对长度和电容的极板间隙的关系式；
[0050]第二确定模块，用于根据间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型和第一组电容的静电放电试验数据，确定静电放电失效电压模型，静电放电失效电压模型为包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容的静电放电失效电压模型的确定方法，其特征在于，包括：获取第一组电容的静电放电试验数据，所述静电放电试验数据包括所述电容的极板正对长度、所述电容的极板间隙以及所述电容的静电放电失效电压；获取所述第一组电容的间隙击穿仿真数据，所述间隙击穿仿真数据包括所述电容的极板正对长度、所述电容的极板间隙以及所述电容的间隙击穿电压；根据所述间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，所述间隙击穿电压模型为包括所述电容的间隙击穿电压、所述电容的极板正对长度和所述电容的极板间隙的关系式；根据所述间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型和所述第一组电容的静电放电试验数据，确定静电放电失效电压模型，所述静电放电失效电压模型为包括所述电容的静电放电失效电压、所述电容的极板正对长度和所述电容的极板间隙的关系式。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述间隙击穿仿真数据和间隙击穿电压基础模型，确定间隙击穿电压模型，包括：根据帕邢定律和介电层缺陷密度理论，确定所述间隙击穿电压基础模型，所述间隙击穿电压基础模型为包括所述电容的间隙击穿电压、所述电容的极板正对长度、所述电容的极板间隙、第五参数、第六参数和第七参数的关系式；根据所述间隙击穿仿真数据，对所述间隙击穿电压基础模型进行模型拟合，确定所述第五参数、第六参数和所述第七参数，以确定所述间隙击穿电压模型。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述间隙击穿电压基础模型满足以下关系式：其中，V0为所述电容的间隙击穿电压，D为所述电容的极板间隙，L为所述电容的极板正对长度，k3、e、α分别为所述第五参数、所述第六参数和所述第七参数。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第五参数k3的数值范围为68～71；和/或，所述第六参数e的数值范围为(
‑
0.2)～(
‑
0.4)；和/或，所述第七参数α的数值范围为(
‑
0.104)～(
‑
0.107)。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的方法，其特征在于，所述静电放电失效电压基础模型满足以下关系式：其中，V
esd
为所述电容的静电放电失效电压，D为所述电容的极板间隙，L为所述电容的极板正对长度，V0为所述电容的间隙击穿电压，a、b、c、d分别为第一参数、第二参数、第三参数和第四参数。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一参数a的数值范围为0.42～0.62；和/或，所述第二参数b的数值范围为230～234；和/或，所述第三参数c的数值范围为20～21；和/或，
所述第四参数d的数值范围为2～4。7.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：获取第二组电容的静电放电试验数据；根据所述间隙击穿电压模型、静电放电失效电压基础模型、所述第一组电容的静电放电试验数据和所述第二组电容的静电放电试验数据，确定修正后的静电放电失效电压模型，所述修正后的静电放电失效电压模型为包括所述电容的静电放电失效电压、所述电容的极板正对长度和所述电容的极板间隙的关系式。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二组电容的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田鹏程，魏玉轩，陈伟，范瑞婷，郭洪文，郭俊，刘汉青，马俊如，毛磊，宋美娇，于刚，邹浩伟，李慧颖，李鑫，宋勇，李建，黄东升，荣珂伊，付桂翠，万博，王晔，魏文斌，杨伯睿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：