半导体工艺的集成化监测方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体工艺的集成化监测方法，包括：提供一衬底，在衬底上执行外延层生长工艺，以在所述衬底上形成外延层，所述外延层中掺杂有第一种类型的离子；测量所述外延层的电阻率，以监测所述外延层生长工艺是否正常，若所述外延层的电阻率正常，则执行下一步，若所述外延层的电阻率异常，则停止测试；执行离子注入工艺，以将部分厚度的外延层转为反型掺杂层，所述反型掺杂层中掺杂有第二种类型的离子，所述反型掺杂层与剩余的外延层形成PN结；执行退火工艺；以及，测量所述PN结的串联电阻，以监测所述离子注入工艺和/或所述退火工艺是否正常。将三种工艺集成在同一片衬底上，节省了成本，并且外延层是单晶，监控的准确性更高。更高。更高。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺的集成化监测方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体工艺的集成化监测方法。

技术介绍

[0002]半导体制造前段外延、离子注入及快速热退火设备通常采用量测监控晶圆（monitor wafer）电阻值来监控机台工艺的稳定性，确保产品的良率。众所周知，目前业界对外延(Epitaxy，EPI)，离子注入(Implant，IMP)及快速热退火(rapid thermal processing，RTP)三种工艺大多采用单独监控工艺方式监控机台，每种监控工艺独立进行，每种工艺使用的监控晶圆都不能重复利用，需要的监控晶圆多，成本高。离子注入工艺和快速热退火工艺均需在监控晶圆上生长一层垫氧化层（pad oxide，POX）作为阻挡层，并在上面沉积一层多晶硅作为有源层，对有源层进行离子注入，并对晶圆进行退火激活，再通过测量晶圆多晶硅薄层上的串联电阻来反映离子注入工艺或者退火工艺是否正常，由于需在监控晶圆上生长一层垫氧化层作为阻挡层，并在上面沉积一层多晶硅作为有源层，垫氧化层和多晶硅有源层均会带来很多干扰因素，并且多晶硅有源层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺的集成化监测方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上执行外延层生长工艺，以在所述衬底上形成外延层，所述外延层中掺杂有第一种类型的离子；测量所述外延层的电阻率，以监测所述外延层生长工艺是否正常，若所述外延层的电阻率正常，则执行下一步，若所述外延层的电阻率异常，则停止测试；执行离子注入工艺，以将部分厚度的外延层转为反型掺杂层，所述反型掺杂层中掺杂有第二种类型的离子，所述反型掺杂层与剩余的外延层形成PN结；执行退火工艺；以及，测量所述PN结的串联电阻，以监测所述离子注入工艺和/或所述退火工艺是否正常。2.如权利要求1所述的半导体工艺的集成化监测方法，其特征在于，所述第一种类型的离子为N型离子，所述第二种类型的离子为P型离子。3.如权利要求1所述的半导体工艺的集成化监测方法，其特征在于，所述第一种类型的离子为P型离子，所述第二种类型的离子为N型离子。4.如权利要求1所述的半导体工艺的集成化监测方法，其特征在于，采用表面光电压非接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李盼，朱红波，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：