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本发明提供了一种半导体工艺的集成化监测方法，包括：提供一衬底，在衬底上执行外延层生长工艺，以在所述衬底上形成外延层，所述外延层中掺杂有第一种类型的离子；测量所述外延层的电阻率，以监测所述外延层生长工艺是否正常，若所述外延层的电阻率正常，则执...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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