控片及其制造方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种控片及其制造方法与应用。上述控片包括硅晶片、二氧化硅层、氮掺杂碳化硅层以及氮化硅层，由于炉管制程制作形成的氮化硅层的介质致密度高、化学性质稳定，能够耐受清洗设备中HF/HNO3溶液的腐蚀，其受刻蚀的速率远小于硅晶片，保持控片的尺寸和形状，赋予控片良好的稳定性和实用性，因此，上述控片的使用寿命更长，降低了破片的风险，因而也降低了生产成本，并且在HF/HNO3溶液清洗过程中控片的稳定性好。氮掺杂碳化硅层可以作为一种停止层，不易被HF/HNO3溶液腐蚀，然而其表面的颗粒和均匀性经过HF/HNO3溶液腐蚀后会存在明显波动，从而能够对氮化硅层的局部或全部区域的完全消耗起到警示作用。的完全消耗起到警示作用。的完全消耗起到警示作用。

【技术实现步骤摘要】
控片及其制造方法与应用


[0001]本专利技术涉及晶圆生产
，特别是涉及一种控片及其制造方法与应用。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，晶圆生产设备在经过维修处理或者维护之后，或者刚刚搬入厂内之后，需要对机台进行预热处理、进行设备验机，以保证后续正式投入生产时生产设备的正常稳定运行。
[0003]在设备验机过程中，会先使用一些裸晶圆片(即硅晶片)来测试生产设备的工艺状态，以获取生产工艺参数。这些用于测试的裸晶圆片通常称为控片。控片通常会进行回收利用。而如果晶圆生产设备没有经过验机，立即进行晶圆的量产，在没有参数的监控下，容易造成产品不合格，从而影响产线的计划安排。
[0004]氢氟酸和硝酸的混合溶液(以下称为HF/HNO3溶液)由于其酸性和氧化性能，被广泛应用在晶圆的氧化层和表面附着金属离子的清洗工艺中。对于使用HF/HNO3溶液作为清洗液的设备，如晶圆清洗设备，在对机台设备进行稳定循环清洗的测试过程中，HF/HNO3溶液会腐蚀控片，影响控片的回收利用。
[0005]HF/HNO3溶液对控片的腐蚀的化学反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控片，其特征在于，包括：硅晶片；二氧化硅层，通过热氧化工艺对所述硅晶片进行热氧化而形成；氮掺杂碳化硅层，形成于所述二氧化硅层上；以及氮化硅层，通过炉管制程在所述氮掺杂碳化硅层远离所述二氧化硅层的一侧上沉积氮化硅而形成。2.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为3.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述氮掺杂碳化硅层的厚度为4.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为5.如权利要求1～4中任一项所述的控片，其特征在于，所述控片经过退火处理。6.一种控片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：获取硅晶片；通过热氧化工艺对所述硅晶片进行热氧化形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层上形成氮掺杂碳化硅层；通过炉管制程在所述氮掺杂碳化硅层远离所述二氧化硅层的一侧上沉积氮化硅，形成氮化硅层。7.如权利要求6所述的控片的制造方法，其特征在于，在形成所述二氧化硅层之前，所述制造方法还包括以下步骤：对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文森，王胜林，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：