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本发明涉及一种控片及其制造方法与应用。上述控片包括硅晶片、二氧化硅层、氮掺杂碳化硅层以及氮化硅层，由于炉管制程制作形成的氮化硅层的介质致密度高、化学性质稳定，能够耐受清洗设备中HF/HNO3溶液的腐蚀，其受刻蚀的速率远小于硅晶片，保持控片的...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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