一种单晶炉的组合套筒及单晶炉制造技术

本公开提供了一种单晶炉的组合套筒及单晶炉，所述组合套筒包括套筒主体，所述套筒主体具有在其轴向方向上贯通的中空腔，且所述中空腔在所述轴向方向上分隔为上腔室和下腔室，且所述上腔室和所述下腔室之间在所述轴向方向上通过连通孔相通；其中，所述上腔室的内侧壁上设有吸光涂层，且所述上腔室呈倒锥形，其内径向靠近所述下腔室一侧逐渐减小；所述下腔室的内侧壁上设有反光面，所述反光面呈朝向所述上腔室凸出的凹面状且凹面的焦点部位处于所述下腔室的轴心上。本公开实施例提供的单晶炉的组合套筒及单晶炉，能够有助于晶棒的无缺陷生长，且有助于维持固、液、气三相点的稳定，为晶棒的稳定生长提供了有利条件。为晶棒的稳定生长提供了有利条件。为晶棒的稳定生长提供了有利条件。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉的组合套筒及单晶炉


[0001]本技术涉及晶棒制备
，尤其涉及一种单晶炉的组合套筒及单晶炉。

技术介绍

[0002]随着微电子产业制程的不断提高，对硅晶圆材料的品质有了更高的要求，而好的品质意味着要管控好晶棒中的晶体缺陷。晶棒中的晶体缺陷主要分为两大类，一类是由过饱和的间隙聚集而成的缺陷，这类缺陷不会影响MOS元器件栅极氧化物完整性(gate oxide integrity，简称GOI)；另一类是由空位聚集而成的缺陷，这类生长缺陷与GOI的良率有很大关系，常见的空位缺陷有COPs (crystal originated particles)、FPD(flow pattern defects)、LSTDs(laserscattering tomography defects)等。这些缺陷的生成与晶棒的轴向温度差G有关，而轴向温度差G可以根据热场的设计进行调节。
[0003]热场中关于导流筒的设计至关重要，其直接影响了晶棒轴向温度差G和晶棒边缘处的轴向温度差与晶棒中心处的轴向温度差的差值ΔG的大小，进而影响晶棒中的缺陷类型和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的组合套筒，其特征在于，包括套筒主体，所述套筒主体具有在其轴向方向上贯通的中空腔，且所述中空腔在所述轴向方向上分隔为上腔室和下腔室，且所述上腔室和所述下腔室之间在所述轴向方向上通过连通孔相通；其中，所述上腔室的内侧壁上设有吸光涂层，且所述上腔室呈倒锥形，其内径向靠近所述下腔室一侧逐渐减小；所述下腔室的内侧壁上设有反光面，所述反光面呈朝向所述上腔室凸出的凹面状且凹面的焦点部位处于所述下腔室的轴心上。2.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述中空腔的内周侧壁上设有径向向内延伸且环绕所述中空腔的周向设置的环形凸台，所述环形凸台将所述中空腔分隔出所述上腔室和所述下腔室，且所述环形凸台的中心孔形成为所述连通孔。3.根据权利要求1所述的组合套筒，其特征在于，所述反光面呈凹面锅状、或球形凹面状。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：