一种去胶方法及去胶设备技术

本发明专利技术的实施例提供了一种去胶方法及去胶设备,该去胶方法包括：步骤一，在等离子产生室内中通入氧气；步骤二，向等离子产生室内通入第一气体；步骤三，将第一气体电离为第一等离子体；步骤四，将第一等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室；步骤五，在等离子产生室内通入氧气；步骤六，向等离子产生室内通入第二气体；步骤七，将第二气体电离为第二等离子体；步骤八，将第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，其能够减轻等离子体对晶圆造成的损伤，提高产品良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种去胶方法及去胶设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种去胶方法及去胶设备。

技术介绍

[0002]等离子体划分成三类：高温等离子体(热核聚变等离子体)，热等离子体(等离子体弧、等离子体矩等)；冷等离子体(低气压交直流、射频、微波等离子体以及高气压介质阻挡放电、电晕放电、RF放电)。
[0003]相比直流辉光放电，交流放电可以克服直流放电带来的等离子体的不均匀。而在交流放电中又有低频和高频区分，低频交流等离子放电会因为裸露的电极造成对等离子体的污染，高频等离子体可以改变处理的均匀性，并且无论有没有介质阻挡可以维持持续、均匀、有效的放电。同时电子和离子在放电的半周期内到达不了电极，大大降低了带电粒子的损耗；
[0004]高频RF放电可以产生较均匀的等离子体，这主要是由于高频放电过程中，电子在电场中往复运动，分子和电子发生碰撞，电子将能量传递给分子，使分子变为激发态，发生电离形成等离子体。如果RF功率低就会导致等离子体还未到达晶圆表面就已经能量衰减完，反应处理效果大幅降低。而RF功率过高，虽可以保证等离子体充分电离，也就意味着等离子体密度大，在到达晶圆表面时因密度过大导致对晶圆造成过量的轰击，形成对晶圆损伤严重，降低了后续晶圆的使用寿命，造成产品良率低，附加值低。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种去胶方法，其能够减轻等离子体对晶圆造成的损伤，提高产品良率。
[0006]本专利技术的目的还包括，例如，提供了一种去胶设备，其能够减轻等离子体对晶圆造成的损伤，提高产品良率。
[0007]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0008]本专利技术的实施例提供了一种去胶方法，其包括：应用于去胶设备，所述去胶设备至少包括等离子产生室、与所述等离子产生室下端连接的载气装置以及与所述载气装置下端连接的去胶反应室，所述去胶方法包括：
[0009]步骤一，在所述等离子产生室内中通入氧气使所述等离子产生室内的压力稳定在第一压力值；
[0010]步骤二，向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行预处理的第一气体；
[0011]步骤三，将所述第一气体电离为第一等离子体；
[0012]步骤四，将所述第一等离子体与所述载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，以对所述去胶反应室中的晶圆进行活化反应；
[0013]步骤五，在所述等离子产生室内通入氧气使所述等离子产生室内的压力稳定在第二压力值，所述第二压力值小于或等于第一压力值；
[0014]步骤六，向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行去胶处理的第二气体；
[0015]步骤七，将所述第二气体电离为第二等离子体；
[0016]步骤八，将所述第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，以对所述去胶反应室中晶圆表面的光刻胶进行处理。
[0017]可选的，所述步骤三包括：通过向所述等离子产生室施加第一射频功率将所述第一气体电离为第一等离子体。
[0018]所述步骤七包括：通过向所述等离子产生室施加第二射频功率将所述第二气体电离为第二等离子体；其中，所述第一射频功率小于第二射频功率。
[0019]可选的，所述第一射频功率为700W，所述第二射频功率为900W。
[0020]可选的，在所述步骤四中，所述载气的温度M为：25℃≤M<80℃，所述载气的流量为20sccm，通入时间为15秒；
[0021]在所述步骤八中，所述载气的温度M为：80℃≤M≤100℃，所述载气的流量为50sccm，通入时间为60秒；
[0022]其中，所述载气为惰性气体，至少包括氩气。
[0023]可选的，所述步骤一包括：
[0024]在所述等离子产生室内通入2000sccm的氧气，使所述等离子产生室内的压力在3秒内达到第一压力值；
[0025]所述步骤五包括：
[0026]在所述等离子产生室内通入1000sccm的氧气，使所述等离子产生室内的压力在3秒内达到第二压力值。
[0027]可选的，所述步骤二包括：
[0028]向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行预处理的流量为800sccm的H2+N2，其中，H2：N2＝10：100，所述等离子产生室内的压力设定为1.1T；
[0029]所述步骤六包括：
[0030]向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行去胶处理的流量为200sccm的H2：N2，其中，H2：N2＝10：100，等离子产生室内的压力设定为1.1T。
[0031]可选的，在所述步骤八之后，还包括：
[0032]步骤九、向等离子产生室内通入流量为2000sccm的氧气，以去除去胶反应室中的残留气体。
[0033]可选的，所述去胶方法还包括：
[0034]循环步骤二至步骤九，直至晶圆表面的光刻胶完全去除。
[0035]本专利技术的实施例提供了一种去胶设备，所述去胶设备至少包括工控机和与工控机连接的PLC，所述去胶设备还包括等离子产生室、与所述等离子产生室下端连接的载气装置以及与所述载气装置下端连接的去胶反应室，所述工控机通过所述PLC控制所述去胶设备的等离子产生室、载气装置、去胶反应室以执行以上所述的去胶方法。
[0036]可选的，所述去胶反应室内设置有冷却管路，用以对晶圆进行冷却。
[0037]本专利技术实施例的去胶方法和去胶设备的有益效果包括，例如：通入氧气将等离子产生室内的压力稳定在第一压力值后，向等离子产生室内通入第一气体并将第一气体电离为第一等离子体，将第一等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室以去除去
胶反应室中晶圆表面的硬壳，对晶圆进行活化；随后再向等离子产生室内通入氧气使等离子产生室内的压力稳定在第二压力值，再向等离子产生室内通入第二气体并将第二气体电离为第二等离子体，将第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，以对晶圆表面的光刻胶进行处理。在将第一等离子体和第二等离子体通入去胶反应室的过程中，第一等离子体和第二等离子体均与载气混合后再通入去胶反应室，载气稀释了第一等离子体和第二等离子体的密度，一定程度上降低了等离子体在去胶过程中对晶圆的轰击，减少了对晶圆的损伤。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0039]图1为本申请实施例的去胶设备的结构示意图；
[0040]图2为本申请实施例的去胶方法中的步骤S100
‑
S900的流程图；
[0041]图3为本申请实施例的去胶方法中的子步骤S110的流程图；
[0042]图4为本申请实施例的去胶方法中的子步骤S210的流程图；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去胶方法，应用于去胶设备，其特征在于，所述去胶设备至少包括等离子产生室、与所述等离子产生室下端连接的载气装置以及与所述载气装置下端连接的去胶反应室，所述去胶方法包括：步骤一，在所述等离子产生室内中通入氧气使所述等离子产生室内的压力稳定在第一压力值；步骤二，向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行预处理的第一气体；步骤三，将所述第一气体电离为第一等离子体；步骤四，将所述第一等离子体与所述载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，以对所述去胶反应室中的晶圆进行活化反应；步骤五，在所述等离子产生室内通入氧气使所述等离子产生室内的压力稳定在第二压力值，所述第二压力值小于或等于第一压力值；步骤六，向所述等离子产生室内通入用于对晶圆表面进行去胶处理的第二气体；步骤七，将所述第二气体电离为第二等离子体；步骤八，将所述第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，以对所述去胶反应室中晶圆表面的光刻胶进行处理。2.根据权利要求1所述的去胶方法，其特征在于，所述步骤三包括：通过向所述等离子产生室施加第一射频功率将所述第一气体电离为第一等离子体；所述步骤七包括：通过向所述等离子产生室施加第二射频功率将所述第二气体电离为第二等离子体；其中，所述第一射频功率小于第二射频功率。3.根据权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述第一射频功率为700W，所述第二射频功率为900W。4.根据权利要求1所述的去胶方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述载气的温度M为：25℃≤M&lt;80℃，所述载气的流量为20sccm，通入时间为15秒；在所述步骤八中，所述载气的温度M为：80℃≤M≤100℃，所述载气的流量为50sccm，通入时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政勋，郭轲科，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：