集成组合件及形成集成的方法技术

一些实施例包含一种具有存储器单元层级堆叠的集成结构。一对沟道材料支柱延伸穿过所述堆叠。源极结构在所述堆叠之下。所述源极结构包含具有上区域、下区域及所述上区域与所述下区域之间的中间区域的部分。所述上及下区域具有相同组合物且在边缘位置彼此接合。所述中间区域具有与所述上及下区域不同的组合物。所述边缘位置直接抵靠所述沟道材料支柱的沟道材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。一些实施例包含形成集成组合件的方法。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成组合件及形成集成的方法
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案主张2019年12月20日申请的序列号为16/723,136的美国专利申请案的优先权及权益，所述美国专利申请案的公开内容以引用方式并入本文中。


[0003]集成组合件(例如经配置用于NAND的存储器装置)。形成集成组合件(例如集成存储器装置)的方法。

技术介绍

[0004]存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，对计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器取代常规硬驱动器变得越来越常见。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中较流行，这是因为其使制造商能够随着新的通信协议变得标准化而支持新的通信协议且提供远程更新装置以增强特征的能力。
[0005]NAND可为快闪存储器的基础架构，且可经配置以包括竖直堆叠的存储器单元。
[0006]在具体描述NAND之前，更概括地描述存储器阵列在集成布置内的关系可为有帮助本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成结构，其包括：存储器单元层级堆叠；一对沟道材料支柱，其延伸穿过所述堆叠；及源极结构，其在所述堆叠之下；所述源极结构包括具有上区域、下区域及所述上区域与所述下区域之间的中间区域的部分；所述上及下区域包括相同组合物且在边缘位置彼此接合；所述中间区域包括与所述上及下区域不同的组合物；所述边缘位置直接抵靠所述沟道材料支柱的沟道材料。2.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括半导体材料。3.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括绝缘材料。4.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括导电材料。5.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括非晶碳。6.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括二氧化硅。7.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括氮化硅。8.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域包括金属。9.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域具有小于或等于约30nm的竖直厚度。10.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述中间区域具有小于或等于约10nm的竖直厚度。11.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述上及下区域包括导电掺杂半导体材料。12.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述上及下区域包括导电掺杂硅。13.根据权利要求1所述的集成结构，其中导电层级包括金属。14.根据权利要求1所述的集成结构，其中所述堆叠的所述存储器单元层级通过包括二氧化硅的中介层级彼此间隔开。15.一种集成结构，其包括：交替绝缘层级与导电层级的堆叠；源极结构，其在所述堆叠之下；面板，其延伸穿过所述导电层级，所述面板在第一块区域与第二块区域之间；第一沟道材料支柱，其延伸穿过所述堆叠且在所述第一块区域中；所述第一沟道材料支柱的底部延伸到所述源极结构中；第二沟道材料支柱，其延伸穿过所述堆叠且在所述第二块区域中；所述第二沟道材料支柱的底部延伸到所述源极结构中；及所述源极结构包括具有上区域、下区域及所述上区域与所述下区域之间的中间区域的部分；所述上及下区域包括相同组合物且在边缘位置彼此接合；所述中间区域包括与所述上及下区域不同的组合物；所述边缘位置直接抵靠所述第一及第二沟道材料支柱的沟道材料。16.根据权利要求15所述的集成结构，其中所述面板包括经配置为槽的外衬层区域，且包括所述槽内的内核心区域；且其中所述外衬层区域包括与所述中间区域相同的材料且与所述中间区域的所述材料是连续的。17.根据权利要求16所述的集成结构，其中所述相同材料环绕邻近所述面板的所述绝
缘层级的端子区域。18.根据权利要求15所述的集成结构，其中所述面板包括经配置为槽的外衬层区域，且包括所述槽内的内核心区域；且其...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：