形成电荷阻挡材料的方法及具有电荷阻挡材料的集成组合件技术

一些实施例包含一种形成组合件的方法。在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠。形成延伸穿过所述第一堆叠的第一开口。用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的侧壁。将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠。形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第二内衬材料，对其进行各向异性蚀刻，且接着将其转化为第二电荷阻挡材料。移除所述牺牲材料。形成邻近于所述电荷阻挡材料的电荷存储材料、电介质材料及沟道材料。一些实施例包含集成组合件。合件。合件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成电荷阻挡材料的方法及具有电荷阻挡材料的集成组合件
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案涉及2019年12月5日申请的标题为“形成电荷阻挡材料的方法及具有电荷阻挡材料的集成组合件(Methods of Forming Charge
‑
Blocking Material,and Integrated Assemblies Having Charge
‑
Blocking Material)”的序列号为16/704,176的美国专利申请案，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]集成组合件(例如，包含集成存储器的组合件)。形成集成组合件的方法。形成与集成存储器相关联的电荷阻挡材料的方法。

技术介绍

[0004]存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有许多用途。例如，现代个人计算机可具有存储于快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器取代常规硬盘驱动器变得越来越常见。作为又一实例，快本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成组合件的方法，其包括：在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠；所述第一阶层及所述第二阶层分别包括第一材料及绝缘第二材料；形成延伸穿过所述第一堆叠的第一开口；用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的侧壁；将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料；在所述第一开口内形成牺牲材料；在所述第一堆叠上方且在所述牺牲材料上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠；所述第三阶层及所述第四阶层分别包括第三材料及绝缘第四材料；形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口；用第二内衬材料加衬里于所述第二开口的侧壁；将所述第二内衬材料转化为第二电荷阻挡材料；移除所述牺牲材料；形成邻近所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料的电荷存储材料；形成邻近所述电荷存储材料的电介质材料；形成邻近所述电介质材料的沟道材料；及用一或多种导电材料取代所述第一材料及所述第三材料中的至少一些。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包含拉伸应力材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料填充所述第一开口的容积的至少约90％。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料填充所述第一开口的容积的约100％。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括一或多种高k氧化物。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括氧化铝、氧化铪及氧化锆中的一或多者。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括氧化铝。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述氧化铝上方形成罩盖材料层。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述罩盖材料包括硅酸盐玻璃。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述罩盖材料包括硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃及氟硅酸盐玻璃中的一或多者。11.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括钨。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料是彼此相同的组合物。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料包括氮化硅。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料包括SiON，其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料在可检测位置处彼此结合。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料及所述第三材料是彼此相同的组合物。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘第二材料及所述绝缘第四材料是彼此相同的组合物。18.一种形成组合件的方法，其包括：在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠；形成延伸穿过所述第一堆叠且到所述导电结构的上表面的第一开口；用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的外围，所述第一内衬材料沿着所述第一开口的侧壁且沿着所述导电结构的上表面；化学更改所述第一内衬材料以将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料；在所述第一开口内且沿着所述第一电荷阻挡材料形成牺牲材料；在所述第一堆叠上方且在所述牺牲材料上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠；形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口；用第二内衬材料加衬里于所述第二开口的侧壁；化学更改...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佩琼，徐志鑫，方昀，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：