一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构，通过在芳胺与咔唑中间引入一个亚芳基桥连，在芳胺中引入4

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种化合物及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件发展迅速，成为领域内研究的热点。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的多层薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。
[0004]常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子向单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。
[0005]虽然目前采用OLED显示技术的产品已经商品化，但仍需要对器件的寿命、效率等性能持续提高，以满足人们更高品质的追求。因此，本领域亟待开发更多种类的有机材料，应用于有机电致发光器件，使器件具有较高的发光效率，较低的驱动电压以及较长的使用寿命。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物应用于OLED器件时能够有效提高器件的寿命，同时具有良好的发光效率和驱动电压。
[0007]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I所示的结构；
[0009][0010]式I中，所述Ar选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基或者取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基；
[0011]式I中，所述L1选自单键或者取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基；
[0012]式I中，所述L2选自取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基；
[0013]式I中，X1‑
X7各自的独立地选自N、CR或CH，且X1、X2和X3中至少有两个选自N；所述R选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基或者取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基，相邻的R连接成环或不连接成环；示例性地，相邻的R可以连接形成与母核稠合的芳环或杂芳环，也可以仅是以单键取代在母核上；
[0014]Ar、L1、L2、X1‑
X7中，所述取代的基团各自独立地选自氨基、氰基、卤素、C1
‑
C20链状烷基、C3
‑
C20环烷基、C1
‑
C20烷氧基、C1
‑
C20硫代烷氧基、C6
‑
C30芳基氨基、C6
‑
C30芳基、C3
‑
C30杂芳基、C3
‑
C30杂芳基氨基中的任意一种或者至少两种组合。
[0015]目前已报道含芳胺类的主体材料往往在寿命方面表现不足，本申请研究人员发现，归其原因在于芳胺的刚性不足，平面性不好，导致了其空穴传输性的不足；另一方面取代基团方面还没找出一个性能优良的片段与芳胺形成比较好的有利于传输的组合，综合两个方面导致发光复合界面靠近电子阻挡层，导致寿命快速衰减。
[0016]本专利技术材料针对上述芳胺类的缺点进行了两个方面的改进突破。第一，在芳胺与咔唑中间引入一个亚芳基(L2)桥连，使得芳胺与咔唑形成了一个刚性比较好的平面结构；第二，在众多取代基团中，本专利技术人发现将4
‑
(2
‑
萘)苯基这种结构引入芳胺中可以大大提升芳胺的空穴传输性能，进而使得该类材料的寿命得到提升，同时器件效率和驱动电压也得到一定的优化。
[0017]同时，在咔唑的N上取代喹喔啉或喹唑啉等吸电子基团，属于平面性比较好的基团，相较于三嗪、嘧啶等基团与咔唑连接时具有更大的刚性，更有利于载流子的传输，提高器件的性能。
[0018]本专利技术中，“取代的基团”指的是“取代或未取代”的基团被取代时取代基的选择范围，个数不做具体限定，只要满足化合物键要求即可，示例性地，可以为1个、2个、3个、4个或
5个，且当取代基的个数为2个及以上时，这2个及以上取代基可以相同也可以不同。
[0019]本专利技术中，卤素代表氯原子、氟原子、溴原子等。
[0020]本专利技术中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
[0021]本专利技术中，芳基包括单环芳基或稠环芳基，杂芳基包括单环杂芳基或稠环杂芳基，其中，单环芳基是指分子中含有至少一个苯基，当分子中含有至少两个苯基时，苯基之间相互独立，通过单键进行连接；稠环芳基是指分子中含有至少两个苯环，但苯环之间并不相互独立，而是共用环边彼此稠合起来；单环杂芳基是指分子中含有至少一个杂芳基，当分子中含有一个杂芳基和其他基团(如芳基、杂芳基、烷基等)时，杂芳基和其他基团之间相互独立，通过单键进行连接；稠环杂芳基是指由至少一个苯基和至少一个杂芳基稠合而成，或，由至少两种杂芳环稠合而成。
[0022]本专利技术中所述的杂芳基中的杂原子，通常指选自N、O、S、P、Si和Se中的原子或原子团，优选选自N、O、S。本专利技术中所述的原子名称，包括其对应的各种同位素，例如，氢(H)则包括1H(氕或作H)、2H(氘或作D)等；碳(C)则包括
12
C、
13
C等。
[0023]本专利技术中，C6
‑
C30(亚)芳基的碳个数包括但不限于C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等，示例性的选自如下基团：芴基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基或并四苯基。具体地，联苯基选自2
‑
联苯基、3
‑
联苯基和4
‑
联苯基；三联苯基包括对
‑
三联苯基
‑4‑
基、对
‑
三联苯基
‑3‑
基、对
‑
三联苯基
‑2‑
基、间
‑
三联苯基
‑4‑
基、间
‑
三联苯基
‑3‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；式I中，所述Ar选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基或者取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基；式I中，所述L1选自单键或者取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基；式I中，所述L2选自取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基；式I中，X1‑
X7各自的独立地选自N、CR或CH，且X1、X2和X3中至少有两个选自N；所述R选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基或者取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基，相邻的R连接成环或不连接成环；Ar、L1、L2、X1‑
X7中，所述取代的基团各自独立地选自氨基、氰基、卤素、C1
‑
C20链状烷基、C3
‑
C20环烷基、C1
‑
C20烷氧基、C1
‑
C20硫代烷氧基、C6
‑
C30芳基氨基、C6
‑
C30芳基、C3
‑
C30杂芳基、C3
‑
C30杂芳基氨基中的任意一种或者至少两种组合。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的C6
‑
C30芳基或者取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基，且所述杂芳基中的杂原子为O或S；当上述基团上各自存在取代基时，所述取代基的定义与所述式I中的定义相同。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：
波浪线标记处代表基团的连接键；当上述基团上各自存在取代基时，所述取代基的定义与所述式I中的定义相同。4.根据权利要求2或3所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：波浪线标记处代表基团的连接键...

【专利技术属性】
技术研发人员：李之洋，高文正，孙恩涛，曾礼昌，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：