电磁波屏蔽用组合物制造技术

提供一种能够提高EMI屏蔽效果的电磁波屏蔽用组合物。所述电磁波屏蔽用组合物包含(A)银粒子；以及(B)第1溶剂，其具有选自式(1)所示的结构和式(2)所示的结构中的至少1种结构，且沸点小于200℃。电磁波屏蔽用组合物可以进一步包含(C)分散剂，上述(B)第1溶剂相对于上述(A)银粒子100质量份可以为5质量份以上且150质量份以下的范围内。质量份以下的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波屏蔽用组合物


[0001]本专利技术涉及用于在安装于基板的电子部件等形成电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽用组合物。

技术介绍

[0002]在内置于移动电话、智能手机、笔记本电脑、平板终端等电子设备的基板上安装有例如功率放大器、Wi
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Fi/Bluetooth模块、闪存等电子设备。这样的电子部件有可能因来自外部的电磁波而引起误动作。另外，相反地，电子部件成为电磁波噪声产生源，也有可能引起其他电子部件的误动作。
[0003]在电子设备的领域中，将系统级芯片(SoC)、系统级封装(SiP)、多芯片模块(MCM)等多个部件集成为一个部件的高集成化技术的开发不断进展，电子设备越来越小型化、薄型化。随着电子设备的小型化、薄型化的发展，在基带部件、无线频率(Radio Frequency：RF)用部件、无线部件、模拟设备和电力管理组件等部件间，保护免受电磁干扰(Electromagnetic Interference，以下也称为“EMI”。)的必要性日益提高。
[0004]在电子部件中，形成用于阻断电磁波的利用金属板的屏蔽层、通过溅射，例如在电子部件的外表面从内侧起形成不锈钢(SUS)层/铜(Cu)层/不锈钢(SUS)层这3层屏蔽层。
[0005]利用金属板的屏蔽层难以满足电子设备的小型化、薄型化的要求。另外，通过溅射形成的屏蔽层中，在顶部(上表面)和侧部(侧面)形成的屏蔽层的厚度不同，如果想要使在顶部(上表面)和侧部(侧面)形成的屏蔽层的厚度均匀，则有时会花费溅射的时间，成本也会高涨。r/>[0006]屏蔽层除了溅射以外，也可以通过喷涂于电子部件的表面来形成。例如在专利文献1中公开了用于通过喷涂于电子部件的表面而形成屏蔽层的EMI屏蔽组合物。专利文献1中公开的EMI屏蔽组合物包含(a)苯氧基树脂、亚乙烯基树脂(日文原文：
ビニリデン
樹脂)等热塑性树脂和/或环氧树脂、丙烯酸树脂等热固化性树脂、(b)溶剂或丙烯酸2
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苯氧基乙酯等反应性稀释剂、以及(c)银粒子等导电性粒子。专利文献1中记载有EMI屏蔽组合物使用喷涂机或分散/喷出机对配置于基材上的功能模块进行密封。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特表2017
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520903号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]屏蔽层要求进一步提高提高EMI屏蔽效果。
[0012]本专利技术的一个方式的目的在于提供能够进一步提高EMI屏蔽效果的电磁波屏蔽用组合物。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]用于解决上述课题的手段如下所述，本专利技术包含以下方式。
[0015]本专利技术的第一方式为一种电磁波屏蔽用组合物，其特征在于，包含：(A)银粒子；(B)第1溶剂，其具有选自下述式(1)所示的结构和下述式(2)所示的结构中的至少1种结构，且沸点小于200℃。
[0016][化学式1][0017][0018](式(1)中，R1为在碳间具有双键的碳原子数2～3的烷基。)
[0019][化学式2][0020][0021](式(2)中，R2为碳原子数2～3的烷叉基。)
[0022]本专利技术的第二方式为一种电子部件，其使用了上述电磁波屏蔽用组合物。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，能够提供一种能够减小电阻率而进一步提高EMI屏蔽效果的电磁波屏蔽用组合物。
具体实施方式
[0025]以下，根据实施方式对本专利技术的电磁波屏蔽用组合物进行说明。但是，以下所示的实施方式是用于将本专利技术的技术思想具体化的例示，本专利技术并不限定于以下的电磁波屏蔽用组合物。
[0026]本专利技术的第一实施方式的电磁波屏蔽用组合物的特征在于，包含：(A)银粒子；以及(B)第1溶剂，其具有选自下述式(1)所示的结构和下述式(2)所示的结构中的至少1种结构，且沸点小于200℃。
[0027][化学式3][0028][0029]式(1)中，R1为在碳间具有双键的碳原子数2～3的烷基。式(1)中，作为R1的具体例，可举出乙烯基、1
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丙烯基、2
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丙烯基(烯丙基)、异丙烯基。其中，R1优选异丙烯基。
[0030][化学式4][0031][0032]式(2)中，R2为碳原子数2～3的烷叉基。式(2)中的R2表示的烷叉基也包括式(2)中的双键在内。式(2)中，作为R2的具体例，其表示的烷叉基也包括式(2)中的双键在内，可举出乙叉基、丙叉基、异丙叉基。其中，优选异丙叉基。
[0033]本专利技术的第一实施方式的电磁波屏蔽用组合物包含(B)第1溶剂，其具有选自上述式(1)所示的结构和上述式(2)所示的结构中的至少1种结构，且沸点小于200℃，因此挥发性高，由电磁波屏蔽用组合物形成的屏蔽层的电阻率变小，能够提高EMI屏蔽效果。(B)第1溶剂可以是具有上述式(1)所示的结构的溶剂，也可以是具有上述式(2)所示的结构的溶剂，沸点只要小于200℃即可。(B)第1溶剂可以包含具有上述式(1)所示的结构的溶剂和具有上述式(2)所示的结构的溶剂这两者，两者的沸点小于200℃即可。
[0034]屏蔽层对EMI的屏蔽效果由反射损耗(dB)表示。反射损耗可以通过下述计算式(I)求出。下述计算式(I)中，K由下述计算式(II)表示，是空间的阻抗与屏蔽层的阻抗之比。屏蔽层的电阻率越小，即，导电性越高，则屏蔽层的阻抗越降低，空间的阻抗与屏蔽层的阻抗之比也越减少，反射损耗(dB)越高，能够提高屏蔽层的EMI屏蔽效果。由本专利技术的第一实施方式的电磁波屏蔽用组合物得到的屏蔽层的电阻率小，能够提高EMI屏蔽效果。
[0035][数学式1][0036][0037]上述计算式(I)中，R表示反射损耗(dB)，K如下述计算式(II)所示，表示空间的阻抗与屏蔽层的阻抗之比。
[0038][数学式2][0039][0040]上述计算式(II)中，Z0表示空间的阻抗，Z
S
表示屏蔽层的阻抗。
[0041](A)银粒子
[0042]电磁波屏蔽用组合物中，(A)银粒子作为导电性粒子是为了阻断电磁波而配合的。(A)银粒子的平均粒径优选为30nm以上且350nm以下的范围内，更优选为40nm以上且300nm以下的范围内，进一步优选为50nm以上且250nm以下的范围内。(A)银粒子的平均粒径如果为30nm以上且350nm以下的范围内，则能够抑制电磁波屏蔽用组合物中的银粒子的沉降，维持组合物中的银粒子的分散状态，容易形成提高了EMI屏蔽效果的屏蔽层。
[0043]银粒子的平均粒径例如通过使用了扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope，以下也称为“SEM”。)的观察来测定。例如，可以以10000倍至20000倍的倍率得到银粒子的SEM照片或SEM图像，使SEM照片或SEM图像中存在的银粒子的轮廓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电磁波屏蔽用组合物，其特征在于，包含：(A)银粒子；以及(B)第1溶剂，其具有选自下述式(1)所示的结构和下述式(2)所示的结构中的至少1种结构，且沸点小于200℃，式(1)中，R1为在碳间具有双键的碳原子数2～3的烷基，式(2)中，R2为碳原子数2～3的烷叉基。2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽用组合物，其中，所述(B)第1溶剂为柠檬烯或萜品油烯。3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用组合物，其还包含(C)分散剂。4.根据权利要求1～3中任一项所述的电磁波屏蔽用组合物，其中，相对于所述(A)银粒子100质量份，所述(B)第1溶剂为5质量份以上且150质量份以下的范围内。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田崇史，镰田义隆，坂井德幸，津布乐博信，川本里美，山田彬人，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：