【技术实现步骤摘要】
一种凝胶流延成型制备氮化硅陶瓷基板的方法
[0001]本专利技术涉及一种制备氮化硅陶瓷基板的凝胶流延成型方法,属于无机非金属
技术介绍
[0002]集成电路工业的发展速度日益增加,为适应复杂的应用环境,电力电子器件正朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展,特别是电动汽车用IGBT模块。因此,高效的散热系统是高集成电路不可或缺的一部分。功率器件中基板的作用是吸收芯片产生的热量传到热沉上,实现与外界的热交换,所以制备高导热基板材料是研发大功率模块电子产品的关键。
[0003]氮化硅(Si3N4)作为一种结构陶瓷,其抗弯强度和断裂韧性等机械性能在各种结构陶瓷里非常出众,此外,其理论热导率高达200~300W
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–1,因此将其应用于大功率半导体器件中散热基板材料具有很大的潜力。
[0004]目前,制备Si3N4陶瓷基板的主要方法是流延成型。流延成型(Tape Casting)是一种比较成熟的,可以制备高质量、超薄型陶瓷基板的方法。流延成型技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种凝胶流延成型制备氮化硅陶瓷基板的方法,其中,所述方法至少需要氮化硅粉、凝胶单体、交联剂、分散剂、塑性剂、引发剂和溶剂,其特征在于,包括以下步骤:(1)按比例将凝胶单体、交联剂加入醇类有机溶剂,机械搅拌均匀形成预混液,溶液冷却至室温后加入氨水和盐酸,调节PH为9~11。再将预混液与氮化硅粉体、烧结助剂、分散剂加入球磨机进行第一次混合;(2)第一次混合之后,继续加入塑性剂,用球磨的方式进行第二次混合,得到浆料;(3)将步骤(2)得到的浆料倒入容器,置于真空脱泡机进行脱泡处理,同时加入引发剂进行搅拌;(4)将进行过脱泡处理的浆料用流延成型的方法制备出薄片状素坯,并进行干燥后切割;(5)将切割后的素坯在氮气氛围下进行高温烧结,得到氮化硅陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,烧结助剂为氧化钇、氧化铯等稀土氧化物和氧化镁的混合物,烧结助剂的总含量为氮化硅粉体质量的2%~10%;稀土氧化物与氧化镁的质量比为1:5~5:1。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,凝胶单体为丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、山梨醇聚缩水甘油醚中的一种;分散剂为聚丙烯酸铵、磷酸酯中的一种,分散剂加入量为氮化硅粉体质量的0.5%~2%;交联剂为N,N
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亚甲基双丙烯酰胺,有机单体和交联...
【专利技术属性】
技术研发人员:马成良,刘源,高正霞,赵振威,李祥,刘伟,陶梦雅,
申请(专利权)人:河南北星精工技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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