【技术实现步骤摘要】
本技术涉及烧结炉相关，具体为一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构。
技术介绍
1、烧结炉是一种用于进行烧结过程的设备，常用于陶瓷、金属材料等的制备和加工过程中，烧结是将材料粉末加热到一定的温度下，使其颗粒之间产生结合，形成致密的块状材料的过程。
2、现有技术中，在气压烧结氮化硅绝缘环的制备过程中，先将氮化硅原料粉末按照一定的配方混合，并通过压制工艺将混合物成型为所需的绝缘环形状，然后，将成型的氮化硅绝缘环放入烧结炉中进行烧结。
3、但是，当氮化硅绝缘环型号过大时，常规的进料结构的承托板间隔过小，承托板无法根据氮化硅绝缘环的高度进行调节，导致氮化硅绝缘环不易放置在承托板上，且氮化硅绝缘环在放置的过程中，其存在表面受损的风险。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，以解决上述
技术介绍
中提出的当氮化硅绝缘环型号过大时，常规的进料结构的承托板间隔过小，承托板无法根据氮化硅绝缘环的高度进行调节，导致氮化硅绝缘环不易放置在承托板上，且氮化硅绝缘环在放置的过程中，其存在表面受损的风险的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，所述用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构包括：
3、框架，所述框架上设置拉板、挡座、滑块、定位槽、旋转槽和调节槽；
4、底座，所述底座上设置有承托板、圆柱和定位板；及
5、承托板，所述承托板
6、优选的，所述框架的外表面设置有烧结炉，框架外表面设置有滑块，框架外表面和滑块底端固定连接，且滑块均匀分布在框架的外表面，且框架顶端外表面设置有拉板，框架顶端外表面和拉板底端固定连接，且框架内表面设置有调节槽，且调节槽和旋转槽相通，且旋转槽的直径等于定位槽的长度。
7、优选的，所述滑块的底端设置有挡座，滑块的底端外表面和挡座顶端固定连接，且挡座的尺寸大于滑块的尺寸，且滑块的外表面设置有滑槽，滑块的尺寸小于滑槽的尺寸，且挡座的尺寸不大于滑槽的尺寸，且滑槽的顶部设置有限位座，挡座顶端和限位座的内表面相抵。
8、优选的，所述底座底部设置有圆柱，底座底部外表面和圆柱顶端固定连接，且圆柱的直径小于调节槽的宽度，圆柱的底端设置有定位板，且底座内部设置有槽，槽的内表面设置有承托板，且槽的内表面和承托板的外表面相抵。
9、优选的，所述定位板的顶端外表面和圆柱底端固定连接，定位板的尺寸小于定位槽，定位板外表面和定位槽内表面相抵，且定位板的宽度小于调节槽的宽度，且定位板的长度小于旋转槽的直径。
10、优选的，所述承托板位于框架的内部，且承托板的顶端设置有拉环，承托板的顶端外表面和拉环底端固定连接，且承托板末端设置有烧结炉，承托板末端外表面和烧结炉内表面相抵。
11、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
12、1.定位板实现了对承托板的间隔距离的调节，避免了氮化硅绝缘环的型号过大无法放置在承托板上，且定位板调节方便，提高了工作效率，当定位板在失去承托板的限位作用时，旋转槽的设置避免了定位板从调节槽移出，从而保证了底座结构的稳定，有利于承托板的拆卸安装，提高了进料的稳定性；
13、2.框架实现了进料和取料的便利性，同时，框架在拉动的过程中，结构稳定，保证了进料的稳定性，挡座和限位座相抵避免了框架发生倾斜，从而避免了氮化硅绝缘环从承托板上掉落，同时，也避免了氮化硅绝缘环外表面发生损害。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述框架(2)的外表面设置有烧结炉(1)，框架(2)外表面设置有滑块(8)，框架(2)外表面和滑块(8)底端固定连接，且滑块(8)均匀分布在框架(2)的外表面，且框架(2)顶端外表面设置有拉板(3)，框架(2)顶端外表面和拉板(3)底端固定连接，且框架(2)内表面设置有调节槽(16)，且调节槽(16)和旋转槽(12)相通，且旋转槽(12)的直径等于定位槽(15)的长度。
3.根据权利要求2所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述滑块(8)的底端设置有挡座(7)，滑块(8)的底端外表面和挡座(7)顶端固定连接，且挡座(7)的尺寸大于滑块(8)的尺寸，且滑块(8)的外表面设置有滑槽(9)，滑块(8)的尺寸小于滑槽(9)的尺寸，且挡座(7)的尺寸不大于滑槽(9)的尺寸，且滑槽(9)的顶部设置有限位座(10)，挡座(7)顶端和限位座(10)的内
4.根据权利要求1所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述底座(14)底部设置有圆柱(13)，底座(14)底部外表面和圆柱(13)顶端固定连接，且圆柱(13)的直径小于调节槽(16)的宽度，圆柱(13)的底端设置有定位板(11)，且底座(14)内部设置有槽，槽的内表面设置有承托板(6)，且槽的内表面和承托板(6)的外表面相抵。
5.根据权利要求1所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述定位板(11)的顶端外表面和圆柱(13)底端固定连接，定位板(11)的尺寸小于定位槽(15)，定位板(11)外表面和定位槽(15)内表面相抵，且定位板(11)的宽度小于调节槽(16)的宽度，且定位板(11)的长度小于旋转槽(12)的直径。
6.根据权利要求1所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述承托板(6)位于框架(2)的内部，且承托板(6)的顶端设置有拉环(5)，承托板(6)的顶端外表面和拉环(5)底端固定连接，且承托板(6)末端设置有烧结炉(1)，承托板(6)末端外表面和烧结炉(1)内表面相抵。
...【技术特征摘要】
1.一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述框架(2)的外表面设置有烧结炉(1)，框架(2)外表面设置有滑块(8)，框架(2)外表面和滑块(8)底端固定连接，且滑块(8)均匀分布在框架(2)的外表面，且框架(2)顶端外表面设置有拉板(3)，框架(2)顶端外表面和拉板(3)底端固定连接，且框架(2)内表面设置有调节槽(16)，且调节槽(16)和旋转槽(12)相通，且旋转槽(12)的直径等于定位槽(15)的长度。
3.根据权利要求2所述的一种用于气压烧结氮化硅绝缘环的烧结炉进料结构，其特征在于：所述滑块(8)的底端设置有挡座(7)，滑块(8)的底端外表面和挡座(7)顶端固定连接，且挡座(7)的尺寸大于滑块(8)的尺寸，且滑块(8)的外表面设置有滑槽(9)，滑块(8)的尺寸小于滑槽(9)的尺寸，且挡座(7)的尺寸不大于滑槽(9)的尺寸，且滑槽(9)的顶部设置有限位座(10)，挡座(7)顶端和限位座(10)的内表面相抵。
【专利技术属性】
技术研发人员：赵振威，刘源，陈花朵，王长春，刘均，
申请(专利权)人：河南北星精工技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。