【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀装置及其使用方法和传送装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种湿法刻蚀装置及其使用方法和传送装置。
技术介绍
[0002]半导体制造技术中经常会用到刻蚀工艺，其中湿法刻蚀工艺主要是采用化学品反应液对刻蚀物进行去除的刻蚀技术，具体为通过化学品反应液与刻蚀物进行化学反应，使刻蚀物部分脱离晶圆表面，这样在晶圆上得到了所需要的表面。
[0003]在相关的制造过程中，需要通过多种不同的刻蚀工艺与清洗工艺的相互配合。因此，采用湿法工艺设备时，需要采用机械手臂实现将晶圆在各个工艺区间内进行传送，完成晶圆的清洗与刻蚀过程。
[0004]然而，利用现有的湿法刻蚀设备进行制程过程中，将晶圆进行传送的时间较长。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种湿法刻蚀装置及其使用方法和传送装置，以减少晶圆在制程过程中的传送时间。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种湿法刻蚀装置，包括：若干相邻的湿法单元，用于对晶圆进行刻蚀处理；第一传送装置，用于将晶圆在任意湿法单元之间进行传送。
[0007]可选的，所述第一传送装置包括：第一传送轨道，位于若干所述湿法单元一侧；第一传送本体，与所述第一传送轨道可滑动连接，用于传送晶圆。
[0008]可选的，所述第一传送轨道从第一个所述湿法单元延伸至最后一个所述湿法单元。
[0009]可选的，所述第一传送本体包括：晶圆座，用于放置晶圆；第一移动单元，一端与所述晶圆座固定连接，另一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：若干相邻的湿法单元，用于对晶圆进行刻蚀处理；第一传送装置，用于将晶圆在任意湿法单元之间进行传送。2.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第一传送装置包括：第一传送轨道，位于若干所述湿法单元一侧；第一传送本体，与所述第一传送轨道可滑动连接，用于传送晶圆。3.如权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第一传送轨道从第一个所述湿法单元延伸至最后一个所述湿法单元。4.如权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第一传送本体包括：晶圆座，用于放置晶圆；第一移动单元，一端与所述晶圆座固定连接，另一端可滑动连接于所述第一传送轨道，且可带动所述晶圆座升降。5.如权利要求4所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第一传送本体还包括：连接于所述晶圆座两端的开合单元，可开合覆盖于晶圆座的上方。6.如权利要求5所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述开合单元包括：驱动马达，分别设置于所述晶圆座的两端；开合组件，所述驱动马达可驱动所述开合组件展开或闭合。7.如权利要求6所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述开合组件包括：若干连接支架和若干开合挡片，且每个所述连接支架的一端固定连接于开合挡片，另一端活动连接于所述驱动马达。8.如权利要求7所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，当所述开合组件闭合时，若干所述开合挡片位于所述晶圆座的一侧或两侧。9.如权利要求7所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，当所述开合组件展开时，若干所述开合挡片两两相互重叠覆盖于所述晶圆座上方，且相邻开合挡片部分重叠。10.如权利要求4所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第一传送装置还包括：设置于所述晶圆座两端的对射传感器，用于检测晶圆。11.如权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，还包括：第一传送单元，用于控制第一传送本体在所述第一传送轨道上传送。12.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，还包括：第二传送装置，用于将晶圆在相邻湿法单元之间进行传送。13.如权利要求12所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，每个湿法单元包括相邻的反应槽和清洗槽；若干湿法单元包括至少一个传送区，一个所述传送区包括相邻的清洗槽、以及相邻清洗槽之间的反应槽。14.如权利要求13所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第二传送装置包括：若干第二传送轨道，各第二传送轨道分别设置于一个传送区一侧；第二传送本体，与所述第二传送轨道可滑动连接，用于夹取并传送晶圆。15.如权利要求14所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述第二传送本体包括：夹持臂组件，用于夹取或卸载所述晶圆；第二移动单元，一端与所述夹持臂组件固定连接，另一端可滑动连接于所述第一传送
轨道，且可带动所述夹持臂组件升降。16.如权利要求15所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述夹持臂组件包括：第一夹持臂和第二夹持臂，所述第一夹持臂和第二夹持臂用于夹持所述晶圆；控制单元，用于控制所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邢开璞，王磊，姜绍达，赵岩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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