一种电容器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种电容器及其制备方法，其中电容器包括：基底，所述基底上形成有着陆焊盘，所述着陆焊盘的材料包括：钨，所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽，所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物而形成；下电极，所述下电极的底部通过所述连接槽与所述着陆焊盘接触。本发明专利技术能够降低着陆焊盘的电阻值。值。值。

【技术实现步骤摘要】
一种电容器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]钨是典型的稀有金属，具有极为重要的用途。它是当代高科技新材料的重要组成部分，一系列电子光学材料、特殊合金、新型功能材料及有机金属化合物等均需使用独特性能的钨。
[0003]而随着半导体技术，特别是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)加工技术的快速发展，现有的在DRAM电容结构中以多晶硅作为着陆焊盘已无法满足着陆焊盘低电阻的要求。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提供的一种电容器及其制备方法，将着陆焊盘的材料进行限定，并通过碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物，如此能够降低着陆焊盘的电阻值，从而能够提高电容器的电学性能。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种电容器，包括：
[0006]基底，所述基底上形成有着陆焊盘，所述着陆焊盘的材料包括：钨，所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽，所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成有着陆焊盘，所述着陆焊盘的材料包括：钨，所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽，所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物而形成；下电极，所述下电极的底部通过所述连接槽与所述着陆焊盘接触。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述碱性刻蚀液的pH范围包括：8至14。3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述碱性刻蚀液的温度小于或等于70摄氏度。4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述碱性刻蚀液包括碱性刻蚀剂和去离子水；所述碱性刻蚀剂与所述去离子水比例为1：a；其中，a大于或等于2。5.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述碱性刻蚀剂包括：四甲基氢氧化铵，或氨水，或氢氧化钾，或氢氧化钠。6.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述下电极包括多个电极节；所述多个电极节自下而上排列连接，每个电极节的孔径自下而上逐步增大；其中，在任一相邻的两个电极节中，位于下方电极节的顶端孔径大于位于上方电极节的底端孔径。7.根据权利要求1或6所述的电容器，其特征在于，下电极的外围周侧形成有支撑部。8.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成有着陆焊盘，所述着陆焊盘的材料包括：钨；在所述基底的上方形成模制氧化层；刻蚀所述模制氧化层，以形成贯穿所述模制氧化层的预通孔，所述预通孔与所述着陆焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜喆求，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：