制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法技术

提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。作电流范围之外的电流。作电流范围之外的电流。

【技术实现步骤摘要】
制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2021年1月5日在韩国知识产权局提交的标题为“Methods of Fabricating Capacitor and Semiconductor Device Including the Capacitor”(制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法)的韩国专利申请No.10
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2021
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0001055通过引用的方式整体结合于本申请中。


[0003]实施例涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造电容器的方法和制造包括该电容器的半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]电容器可以储存电荷。因此，电容器可以用于在半导体器件中存储数据。存储在电容器中的电荷量(即电容)可以对应于所存储的数据的保持时间。然而，随着半导体器件变得高度集成，电容器的电容可能随着电容器面积的减小而减小。电容器的电容可以与介电层的介电常数和电容器的面积成正比，并且可以与介电层的厚度成反比。为了增加电容器的电容，已本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的所述工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的所述工作电流范围之外的电流增加了所述介电层的介电常数。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的所述工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的所述工作电流范围之外的电流是在所述电容器的漏电流的大小不超过预定值的条件下执行的。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的所述工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的所述工作电流范围之外的电流增加了所述介电层中特定晶相的比例。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述特定晶相包括正交相和四方相中的至少一种。6.根据权利要求1所述的方法，其中：所述介电层包括铁电材料，并且所述工作电压范围之外的电压大于所述铁电材料的矫顽电压。7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括对所述介电层进行热处理以使所述介电层结晶。8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括晶体管的下结构；以及根据权利要求1所述的制造电容器的方法，在所述下结构上形成连接至所述晶体管的电容器。9.一种制造电容器的方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压或电流，其中，在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压或电流包括：施加最大电压在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压扫描或电压脉冲，或施加最大电流在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流扫描或电流脉冲。10.根据权利要求9所述的方法，其中：所述介电层包括铁电材料，所述铁电材料包括掺杂有N、Ta、Si、Ge、La、Y、Sc、Sr、Al和Gd
中的至少一种的Hf1Zr1‑
x
O2，其中，0≤x≤1。...

【专利技术属性】
技术研发人员：南甲镇，李荣彬，赵哲珍，崔在亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：