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制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法技术
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文档序号:34089376
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提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括:形成第一电极;在所述第一电极上形成介电层;在所述介电层上形成第二电极;以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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