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本发明提供一种电容器及其制备方法,其中电容器包括:基底,所述基底上形成有着陆焊盘,所述着陆焊盘的材料包括:钨,所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽,所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物而形成;下电极,所述下电极的底部通过所述连接槽...该专利属于真芯(北京)半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明提供一种电容器及其制备方法,其中电容器包括:基底,所述基底上形成有着陆焊盘,所述着陆焊盘的材料包括:钨,所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽,所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物而形成;下电极,所述下电极的底部通过所述连接槽...