一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺制造技术

一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，包括以下步骤：在单面已蚀刻好的挠性线路层贴覆盖膜；将贴完覆盖膜并固化后的挠性基板进行一次棕化；在一次棕化后的挠性基板面整面贴高温揭盖保护膜；通过激光控深切割的方式切割高温揭盖保护膜，并去除非挠性区域的高温揭盖保护膜；半固化片不镂空，进行压合叠层；外层控深去除挠性区域的刚性基板；去掉挠性区域的高温揭盖保护膜。本发明专利技术通过优化叠层结构的方式将半固化片不做镂空处理，并在挠性弯折区域增加高温揭盖保护膜用于半固化片与挠性基板的隔离作用，基于隔离作用而不影响刚性基板与挠性基板的分离，从而达到外层挠性基板的平整，解决了动态挠性弯折区域加工难的问题。解决了动态挠性弯折区域加工难的问题。解决了动态挠性弯折区域加工难的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺


[0001]本专利技术涉及电路板叠层结构制备领域，具体涉及一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，叠层结构中半固化片采用不切割的方式，使动态区域半固化片保留，在靠近挠性层增加耐高温保护膜，便于分离的同时避免了动态区域的凹陷，解决了外层压膜的问题。

技术介绍

[0002]随着电子器件的精密、小巧化，刚挠结合电路板以可多维安装、任意层互联的优越性在越来越多的领域被应用；目前，刚挠结合电路板的制作，均是将粘接半固化片挠性弯折区域镂空，再将挠性基板与刚性基板通过压合粘接的方式堆叠，最后通过激光控深的方式去掉挠性区域的刚性层，从而露出挠性基板最终形成刚挠结合电路板。然而，粘接半固化片镂空处会形成空腔台阶，外层基板压合后会形成凹陷，在外层线路制作时，干膜压合过程会因为凹陷台阶的存在而无法与基板压实结合，从而导致干膜破裂，造成在蚀刻过程中导线图形部份会因为无干膜保护而断裂、开路。
[0003]常规的“FR
‑4–
FPC
–
FR
‑
4”挠性基板在内层结构时，其空腔部份对应的外层是FR
‑
4刚性层废料区域，该区域废料无导体且在后工序会通过控深的方式去除，因此，干膜破裂对整体的产品无影响。然而，当挠性基板在外层的“FPC
–
FR
‑
4”结构时，该FPC弯折区域的导线图形需要保留，干膜破裂将会直接影响产品的性能。
[0004]目前，在加工外层挠性的刚挠结合板结构时，一方面，通过减少刚性板与挠性板之间的半固化片张数以降低凹陷深度；另一方面，保证外层挠性区域的线宽至少在6mil以上，以防止凹陷边缘的导体因干膜曝光不良形成缺口断裂。前者降低半固化片的张数后，在内层基铜为1oz以上时将会存在因填胶不足而导致的分层爆板风险，后者大尺寸的线宽在阻抗板及精密的电路板中良率较低。
[0005]或者是在叠层压合前，在半固化镂空区域增加填充物，该填充物包括但不限于FR
‑
4基板、耐高温胶带等。该填充物的厚度需要与半固化片叠层厚度一致，填充物太薄凹陷同样存在，填充物太厚则板面凸出影响加工。同时，其填充材料的尺寸需要比半固化片镂空区域小，这就意味着压合过程的压力完全作用在填充材料上，其填充材料又与结构中的“FPC”相邻，从而导致挠性基板已完成的内层线路有压痕现象，甚者导致导体断裂开路。
[0006]因此，无论哪种方法均是以牺牲产品的良率为代价。

技术实现思路

[0007]根据
技术介绍
提出的问题，本专利技术提供一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺来解决，通过优化叠层结构的方式，其半固化片不镂空，并在挠性区域增加耐高温保护膜用于半固化片与挠性基板的隔离作用，因半固化片不镂空无凹陷形成，高温阻胶膜的隔离作用不影响刚性基板与挠性基板的分离，从而达到外层挠性基板的平整，解决了动态挠性弯折区域因凹陷而导致的外层线路加工困难的难题。接下来对本专利技术做进一步地阐
述。
[0008]一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，包括以下步骤：
[0009]在单面已蚀刻好的挠性线路层贴覆盖膜；
[0010]将贴完覆盖膜并固化后的挠性基板进行一次棕化；
[0011]在一次棕化后的挠性基板面整面贴高温揭盖保护膜；
[0012]通过激光控深切割的方式切割高温揭盖保护膜，并去除非挠性区域的高温揭盖保护膜；
[0013]半固化片不镂空，进行压合叠层；
[0014]外层控深去除挠性区域的刚性基板；
[0015]去掉挠性区域的高温揭盖保护膜。
[0016]作为优选地，一次棕化参数的蚀刻量控制在1μm之内，一次棕化的参数管控如下：
[0017]H2SO4:50
±
5ml/L；
[0018]MS800：30
‑
40ml/L；
[0019]H2O2：30
‑
40ml/L；
[0020]CU
2+
:＜30g/L；
[0021]速度：2m/min。
[0022]作为优选地，所述覆盖膜是聚酰亚胺膜。
[0023]作为优选地，固化环节中，将压合后的基板在150℃下烘烤2H。
[0024]作为优选地，二次棕化的参数管控如下：
[0025]H2SO4:40
±
3ml/L；
[0026]MS800：32
‑
38ml/L；
[0027]H2O2：33
‑
36ml/L；
[0028]CU
2+
:＜20g/L；
[0029]速度：3m/min。
[0030]作为优选地，所述高温揭盖保护膜为一种聚酰亚胺薄膜。有耐高温与微粘作用，贴合于挠性基板的覆盖膜之上。作用是防止动态挠性弯折区域的半固化片因未镂空而导致刚性基板与挠性基板粘合。
[0031]作为优选地，所述高温揭盖保护膜的尺寸比覆盖膜单边大0.5mm
‑
1.0mm，揭盖保护膜需要离挠性基板和刚性基板之间至少0.2mm的安全公差距离。避免在去除挠性区域刚性段控深切割或机械锣时存在偏位而导致揭盖保护膜无法去除的情况发生。
[0032]作为优选地，挠性基板、刚性基板两侧均贴设有铜箔层，且铜箔层与其所依附的基板作为一整体。
[0033]作为优选地，层压步骤涉及抽真空处理，抽真空的参数设置如下：预压真空时间为20分钟；压力5Kg/min；温度为低温80℃。
[0034]作为优选地，激光控深的切割导体区域为刚性与挠性交接处，通过激光能量对刚性基板控深切割，控深深度控制为刚性基板残留0.2mm。
[0035]有益效果：与现有技术相比，本专利技术通过优化叠层结构的方式将半固化片不做镂空处理，并在挠性弯折区域增加高温揭盖保护膜用于半固化片与挠性基板的隔离作用；该叠层结构因半固化片不镂空而不形成凹陷；基于高温揭盖保护膜的隔离作用而不影响刚性
基板与挠性基板的分离，从而达到外层挠性基板的平整，解决了动态挠性弯折区域因凹陷而导致的外层线路加工困难的难题。
附图说明
[0036]图1：本专利技术刚挠结合电路板叠层结构示意图；
[0037]图中：铜箔层1、挠性基板2、刚性基板3、半固化片4、覆盖膜5、温揭盖保护膜6、挠性弯折区域7、高刚性镂空区域8。
具体实施方式
[0038]接下来结合附图对本专利技术的一个具体实施例来做详细地阐述。
[0039]一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，依次包括以下步骤：前工序
–
一次棕化
–
贴覆盖膜
–
覆盖膜快压
–
固化
–
二次棕化
–
贴高温揭盖保护膜
–
高温揭盖保护膜切割
–
叠板
–
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外层挠性刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：在单面已蚀刻好的挠性线路层贴覆盖膜；将贴完覆盖膜并固化后的挠性基板进行一次棕化；在一次棕化后的挠性基板面整面贴高温揭盖保护膜；通过激光控深切割的方式切割高温揭盖保护膜，并去除非挠性区域的高温揭盖保护膜；半固化片不镂空，进行压合叠层；外层控深去除挠性区域的刚性基板；去掉挠性区域的高温揭盖保护膜。2.根据权利要求1所述的刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，其特征在于，一次棕化参数的蚀刻量控制在1μm之内，一次棕化的参数管控如下：H2SO4:50
±
5ml/L；MS800：30
‑
40ml/L；H2O2：30
‑
40ml/L；CU
2+
:＜30g/L；速度：2m/min。3.根据权利要求1所述的刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，其特征在于：所述覆盖膜是聚酰亚胺膜。4.根据权利要求1所述的刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，其特征在于：所述固化步骤，将压合后的基板在150℃下烘烤2H。5.根据权利要求2所述的刚挠结合电路板叠层结构制备工艺，其特征在于，所述二次棕化的参数管控如下：H2SO4:40
±

【专利技术属性】
技术研发人员：陈定成，杜林峰，
申请(专利权)人：信丰迅捷兴电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：