半导体真空吸附系统及半导体切割装置制造方法及图纸

本申请提供一种半导体真空吸附系统及半导体切割装置，涉及加工制造技术领域。其中，第一真空通路包括依次连接的主气压电磁阀、第一真空发生器以及工作台真空电磁阀；第一真空发生器配置为当主气压电磁阀开启时，使第一真空器处于工作状态；工作台真空电磁阀配置为当工作台真空电磁阀开启时，导通工作台中的所述第一真空通路，以使得工作台上的物体通过第一真空通路被吸附固定在工作台上；第二真空通路包括第二真空发生器以及切换器；切换器配置为当切换器闭合时，导通工作台中的第二真空通路，以使得工作台上的物体通过第二真空通路被吸附固定在工作台上。该系统可以解决半导体切割装置异常断电时被切割物体产生偏移，导致产生不良品的问题。不良品的问题。不良品的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体真空吸附系统及半导体切割装置


[0001]本申请涉及加工制造
，具体而言，涉及一种半导体真空吸附系统及半导体切割装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体封装工艺中，晶圆切割是一道必不可少的工序。晶圆切割需要借助半导体切割装置进行，先将晶圆贴在胶膜上，然后将贴好晶圆的胶膜放置于半导体切割装置工作台上，工作台处真空打开后将晶圆及胶膜紧紧吸附在工作台上，切割刀片开始切割。
[0003]当半导体切割装置遇到异常必须关机时，真空消失，胶膜无法完全固定在作业台盘上，开机后再次吸真空，此时胶膜与作业台盘的相对位置已经发生变化，导致晶圆切割道位移，从而再次切割时切割道偏移产生不良品。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种半导体真空吸附系统及半导体切割装置，用以解决半导体切割装置异常断电时被切割物体产生偏移，导致产生不良品的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种半导体真空吸附系统，所述半导体真空吸附系统包括：第一真空通路、第二真空通路和工作台；
[0006]所述第一真空通路包括依次连接的主气压电磁阀、第一真空发生器以及工作台真空电磁阀；
[0007]其中，所述第一真空发生器配置为当所述主气压电磁阀开启时，使所述第一真空器处于工作状态；所述工作台真空电磁阀配置为当所述工作台真空电磁阀开启时，导通所述工作台中的所述第一真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第一真空通路被吸附固定在所述工作台上；
[0008]所述第二真空通路包括第二真空发生器以及切换器；
[0009]其中，所述切换器配置为当所述切换器闭合时，导通所述工作台中的所述第二真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第二真空通路被吸附固定在所述工作台上。
[0010]本申请实施例提供的半导体真空吸附系统包括第一真空通路和第二真空通路，在系统正常工作时，工作台上的物体通过第一真空通路被吸附固定在工作台上；在系统断电后，工作台上的物体通过第二真空通路被吸附固定在工作台上。由此工作台上的物体在系统断电时位置不会产生偏移，即保证了工作台上的物体可在恢复电力供应后进一步被加工，提高了良品率。
[0011]在一可选的实施方式中，所述第一真空发生器与所述第二真空发生器为同一真空发生器，所述切换器包括：第一开关和第二开关；
[0012]所述第一开关、所述第一真空发生器和所述第二开关依次连接；
[0013]所述第一开关与所述主气压电磁阀并联；以及
[0014]所述第二开关与所述工作台真空电磁阀并联；
[0015]其中，在所述第一开关和所述第二开关闭合时，导通所述工作台中的所述第二真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第二真空通路被吸附固定在所述工作台上。
[0016]在上述实施方式中，第二真空通路包括依次连接的第一开关、第一真空发生器和第二开关，在系统断电时，第一开关闭合相当于主气压电磁阀闭合，第二开关闭合相当于工作台真空电磁阀闭合，即在断电时，第一开关和第二开关闭合保证了第二真空通路的持续导通，使得工作台上的物体通过第二真空通路被吸附固定在工作台上。由此工作台上的物体在系统断电时位置不会产生偏移。
[0017]在一可选的实施方式中，所述第二真空发生器和所述切换器串联后与所述第一真空通路并联。
[0018]在上述实施方式中，在系统断电时，切换器闭合，第二真空通路导通，工作台上的物体通过第二真空通路被吸附固定在工作台上。由此工作台上的物体在系统断电时位置不会产生偏移。
[0019]在一可选的实施方式中，所述系统还包括感应器；
[0020]所述感应器设置在所述工作台真空电磁阀和所述工作台之间，所述感应器配置为检测所述系统的状态信息；其中，所述状态信息包括所述系统的真空值。
[0021]在上述实施方式中，感应器检测系统的真空值，在系统的真空值在超过一定真空阈值，才可工作台上的物体才能被稳固地吸附固定在工作台上，从而再开始进行加工，保证切割过程中工作台上的物体不会产生偏移，提高良品率。
[0022]在一可选的实施方式中，所述感应器与外部控制器连接；
[0023]其中，所述感应器还配置为传输所述系统的状态信息至所述外部控制器。
[0024]在上述实施方式中，感应器传输半导体真空吸附系统的状态信息至外部控制器，外部控制器可监控半导体真空吸附系统的工作状态，在半导体真空吸附系统异常时可进行报警，提高半导体真空吸附系统的稳定性。
[0025]在一可选的实施方式中，所述主气压电磁阀、所述第一真空发生器、所述工作台真空电磁阀以及所述感应器依次连接；
[0026]所述工作台真空电磁阀和所述感应器串联后与第二开关并联。
[0027]在上述实施方式中，感应器与第一真空通路连接，检测该半导体真空吸附系统的真空值，保证该半导体真空吸附系统处于正常工作状态。
[0028]在一可选的实施方式中，其中，所述第二真空通路配置为在所述系统断电后保持导通，以使得所述工作台上的物体通过所述第二真空通路被吸附固定在所述工作台上。
[0029]在上述实施方式中，第二真空通路可被控制为在系统通电时不导通，在系统断电时导通，保证工作台上的物体在系统断电时位置不会产生偏移，可提高良品率。
[0030]第二方面，本申请实施例提供一种半导体切割装置，所述半导体切割装置包括：外部控制器、切割组件以及第一方面所述的半导体真空吸附系统；
[0031]所述外部控制器和所述切割组件连接，配置为控制所述切割组件对工作台上的物体进行切割；
[0032]所述外部控制器与所述半导体真空吸附系统连接，配置为接收所述半导体真空吸附系统的状态信息。
[0033]本申请实施例提供的半导体切割装置，工作台上的物体在通电时通过第一真空通
路被吸附固定在工作台上，在断电时通过第二真空通路被吸附固定在工作台上。由此工作台上的物体在系统断电时位置不会产生偏移，可提高良品率。
[0034]在一可选的实施方式中，所述外部控制器配置为接收所述半导体真空吸附系统的状态信息，并判断所述状态信息中的真空值是否低于预设阈值，若低于，则输出报警信号。
[0035]在上述实施方式中，外部控制器判断半导体真空吸附系统的真空值是否低于预设阈值，若低于，则输出报警信号，可提高半导体真空吸附系统的稳定性，提高良品率。
[0036]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0038]图1为本申请实施例提供的第一种半导体真空吸附系统的结构示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体真空吸附系统，其特征在于，所述系统包括：第一真空通路、第二真空通路和工作台；所述第一真空通路包括依次连接的主气压电磁阀、第一真空发生器以及工作台真空电磁阀；其中，所述第一真空发生器配置为当所述主气压电磁阀开启时，使所述第一真空器处于工作状态；所述工作台真空电磁阀配置为当所述工作台真空电磁阀开启时，导通所述工作台中的所述第一真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第一真空通路被吸附固定在所述工作台上；所述第二真空通路包括第二真空发生器以及切换器；其中，所述切换器配置为当所述切换器闭合时，导通所述工作台中的所述第二真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第二真空通路被吸附固定在所述工作台上。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一真空发生器与所述第二真空发生器为同一真空发生器，所述切换器包括：第一开关和第二开关；所述第一开关、所述第一真空发生器和所述第二开关依次连接；所述第一开关与所述主气压电磁阀并联；以及所述第二开关与所述工作台真空电磁阀并联；其中，在所述第一开关和所述第二开关闭合时，导通所述工作台中的所述第二真空通路，以使得所述工作台上的物体通过所述第二真空通路被吸附固定在所述工作台上。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二真空发生器和所述切换器串联后与所述第一真空通路并联。4.根据权利要求1所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪学昌，袁建胜，陆立胜，石岩，
申请(专利权)人：嘉盛半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：