一种显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:34325811 阅读:15 留言:0更新日期:2022-07-31 01:06
本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板的制备方法包括:提供转移基板;在转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件;空腔结构贯穿部分转移基板;至少部分辅助连接结构与空腔结构错开设置;发光元件位于辅助连接结构远离转移基板的一侧且沿示面板的厚度方向,发光元件与空腔结构至少部分交叠;提供阵列基板并以发光元件朝向阵列基板的一侧贴合移基板和阵列基板,发光元件和阵列基板电连接;至少去除与转移基板接触的辅助连接结构,以使转移基板与发光元件脱离。本发明专利技术提供的技术方案,通过在转移基板一侧设置的空腔结构和辅助连接结构,更好更准确的实现转移基板与发光元件脱离,发光元件转移方式简单,转移效率高。转移效率高。转移效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展,微元件化的制作工艺成为显示面板的一种发展趋势,例如微型发光二极管(Light Emitting Diode,LED),即Micro

LED技术。相较于同为自发光显示的有机发光二极管(Organic Light

Emitting Diode,OLED)技术,Micro

LED不仅效率较高、寿命较长,材料不易受到环境影响而相对稳定,还能避免产生残影现象等。
[0003]然而,Micro

LED芯片的巨量转移是制作过程的一个难点。由于Micro

LED芯片非常细小,对其进行巨量转移要求非常高的效率、良品率和转移精度,因此,巨量转移技术成为Micro

LED面板制作过程中最大的技术难点,阻碍了Micro

LED技术的推广与使用。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,提升发光元件转移至阵列基板的效率。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:
[0006]提供转移基板;
[0007]在所述转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件;所述空腔结构贯穿部分所述转移基板;至少部分所述辅助连接结构与所述空腔结构错开设置;所述发光元件位于所述辅助连接结构远离所述转移基板的一侧,且沿所述显示面板的厚度方向,所述发光元件与所述空腔结构至少部分交叠;
[0008]提供阵列基板并以所述发光元件朝向所述阵列基板的一侧贴合所述转移基板和所述阵列基板,所述发光元件和所述阵列基板电连接;
[0009]至少去除与所述转移基板接触的所述辅助连接结构,以使所述转移基板与所述发光元件脱离。
[0010]第二方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板,采用第一方面任一项所述的制备方法制备得到;
[0011]所述显示面板包括:
[0012]阵列基板;
[0013]位于所述阵列基板一侧的发光元件。
[0014]第三方面,本专利技术实施例提供了一种显示装置,包括第二方面任一项所述的显示面板。
[0015]本专利技术实施例提供的显示面板的制备方法,首先提供转移基板;其次在转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件;进一步的,提供阵列基板并以发光元件朝向阵列基板的一侧贴合转移基板和阵列基板,发光元件和阵列基板电连接;最后至少去除与
转移基板接触的辅助连接结构,以使转移基板与发光元件脱离。本专利技术实施例提供的技术方案,通过在转移基板一侧设置的空腔结构和辅助连接结构,更好更准确的实现转移基板与发光元件脱离,发光元件转移方式简单,转移效率高。
附图说明
[0016]为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案,下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然,所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图,而不是全部的附图,对于本领域普通技术人员,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0017]图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0018]图2是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的过程图;
[0019]图3是本专利技术实施例提供的一种发光元件的结构示意图;
[0020]图4是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0021]图5是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的过程图;
[0022]图6是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0023]图7是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的过程图;
[0024]图8是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0025]图9是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的过程图;
[0026]图10是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0027]图11是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
[0028]图12是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
[0029]图13为图12中200A区域放大示意图;
[0030]图14是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
[0031]图15是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
[0032]图16是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
[0033]图17是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
[0034]图18是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0036]图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图,图2是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的过程图,图3是本专利技术实施例提供的一种发光元件的结构示意图,参考图1至图3所示,本专利技术实施例提供显示面板的制备方法可以包括:
[0037]S110、提供转移基板。
[0038]示例性的,提供的转移基板用于将发光元件进行转移,本专利技术实施例对转移基板的类型和数量不进行限定。
[0039]S120、在转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件;空腔结构贯穿部
分转移基板;至少部分辅助连接结构与空腔结构错开设置;发光元件位于辅助连接结构远离转移基板的一侧,且沿显示面板的厚度方向,发光元件与空腔结构至少部分交叠。
[0040]其中,发光元件可以为发光二极管,例如可以为Micro LED芯片,即微型发光二极管(Light Emitting Diode,LED),Micro LED芯片具有自发光的显示特性,其优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率和可以应用于高温或辐射等极端环境等,通过转移基板对发光元件进行转移。
[0041]具体的,辅助连接结构可以理解为在发光元件的转运过程中连接转移基板和发光元件,并在发光元件的转运过程中通过自身结构消融实现分离转运基板和发光元件的中间连接结构。辅助连接结构可以是光敏结构、热敏结构或者其他任意可以起到连接作用并且在外界环境变化时可以自身消融的结构,本专利技术实施例对辅助结构的具体材质不进行限定。
[0042]参考图2所示,在转移基板100一侧依次制备空腔结构110、辅助连接结构120和发光元件130。具体的,空腔结构110贯穿部分转移基板10本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:提供转移基板;在所述转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件;所述空腔结构贯穿部分所述转移基板;至少部分所述辅助连接结构与所述空腔结构错开设置;所述发光元件位于所述辅助连接结构远离所述转移基板的一侧,且沿所述显示面板的厚度方向,所述发光元件与所述空腔结构至少部分交叠;提供阵列基板并以所述发光元件朝向所述阵列基板的一侧贴合所述转移基板和所述阵列基板,所述发光元件和所述阵列基板电连接;至少去除与所述转移基板接触的所述辅助连接结构,以使所述转移基板与所述发光元件脱离。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述空腔结构覆盖所述发光元件。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述提供转移基板,包括:提供第一转移基板和第二转移基板;所述在所述转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件,包括:在所述第一转移基板一侧制备辅助连接结构和发光元件,所述发光元件位于所述辅助连接结构靠近所述第一转移基板的一侧;在所述第二转移基板一侧表面制备空腔结构;以所述辅助连接结构朝向所述第二转移基板的一侧贴合所述第一转移基板和所述第二转移基板;剥离所述第一转移基板。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件,包括:在所述转移基板一侧制备空腔结构;在所述空腔结构内制备牺牲结构,所述牺牲结构填充所述空腔结构;在所述转移基板表面制备辅助连接结构;去除所述牺牲结构;转移发光元件至所述辅助连接结构远离所述转移基板的一侧。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述转移基板一侧制备空腔结构、辅助连接结构和发光元件,包括:在所述转移基板表面制备辅助连接结构;以所述辅助连接结构为掩模,在所述转移基板中制备空腔结构;转移发光元件至所述辅助连接结构远离所述转移基板的一侧,所述发光元件的尺寸大于相邻两个所述辅助连接结构之间的尺寸。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,以所述辅助连接结构为掩模,在所述转移基板中制备空腔结构,包括:以所述辅助连接结构为掩模,采用各向同性刻蚀工艺,在所述转移基板中制备空腔结构,以使沿所述显示面板的厚度方向,所述空腔结构覆盖所述发光元件。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述辅助连接结构包括相互连接的第
一连接分部和第二连接分部,所述第二连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:周顾帆
申请(专利权)人:湖北长江新型显示产业创新中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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