一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机制造技术

技术编号:34303984 阅读:17 留言:0更新日期:2022-07-27 15:26
本实用新型专利技术公开一种光学镀膜机的离子源,涉及光学镀膜机技术领域,解决了相关技术中离子源刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。光学镀膜机的伞架和离子源均设于光学镀膜机的真空腔室中,离子源包括离子源本体和挡板,离子源本体设于伞架下方,挡板配置有移动控制机构,以控制挡板移动至或移开离子源本体和伞架之间。在伞架与离子源本体之间增设挡板,并且相应设置移动控制机构,以控制挡板的移动,具体在离子源本体启动时将挡板移动至离子源本体与伞架之间,改善离子源启动时的高能量对伞架上基片初始膜层的影响;在离子源本体稳定的时候再打开挡板,控制挡板从离子源本体与伞架的中间区域移开。从离子源本体与伞架的中间区域移开。从离子源本体与伞架的中间区域移开。

Ion source of an optical coating machine and optical coating machine

【技术实现步骤摘要】
一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机


[0001]本技术涉及光学镀膜机
,尤其涉及一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机。

技术介绍

[0002]光学镀膜机包括真空腔室,真空腔室中设有电子枪坩埚、伞架、修正板、加热装置和离子源辅助沉积系统。传统的离子源辅助沉积系统在离子源刚打开的时候可能会出现异常放电,会影响到光学镀膜机腔室内的电路系统如加热装置等,造成短路。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机,解决了相关技术中离子源刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。
[0004]本申请提供一种光学镀膜机的离子源,光学镀膜机的伞架和离子源均设于光学镀膜机的真空腔室中,离子源包括离子源本体和挡板,离子源本体设于伞架下方,挡板配置有移动控制机构,以控制挡板移动至或移开离子源本体和伞架之间。
[0005]可选地,移动控制机构控制挡板移动至离子源本体和伞架之间时,挡板与离子源本体的间距大于挡板与伞架的间距。
[0006]可选地,挡板还配置有高度控制机构,高度控制机构以调控挡板的高度。
[0007]可选地,移动控制机构包括驱动挡板水平移动的第一气缸。
[0008]可选地,高度控制机构包括驱动挡板竖向移动的第二气缸。
[0009]可选地,挡板配置有软件控制系统,软件控制系统用于控制移动控制机构。
[0010]可选地,挡板配置有高度控制机构,高度控制机构以调控挡板的高度,软件控制系统还包括控制高度控制机构。
[0011]可选地,离子源还包括罩设离子源本体的保护罩,保护罩开设有第一开口和第二开口,第一开口用于裸露离子源本体的阳极,第二开口用于裸露离子源本体的阴极。
[0012]可选地,移动控制机构控制挡板移动至离子源本体和伞架之间时,挡板横置于离子源本体的正上方。
[0013]一种光学镀膜机,包括上述的离子源。
[0014]本申请有益效果如下:本申请提供一种光学镀膜机的离子源,在伞架与离子源本体之间增设挡板,并且相应设置移动控制机构,以控制挡板的移动,具体在离子源本体启动时将挡板移动至离子源本体与伞架之间,改善离子源启动时的高能量对伞架上基片初始膜层的影响;在离子源本体稳定的时候再打开挡板,体现在控制挡板从离子源本体与伞架的中间区域移开,后续工艺正常进行;本申请通过增设挡板及相应移动控制机构,改善离子源本体刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例。
[0016]图1为本申请提供的一种光学镀膜机的离子源的示意图;
[0017]图2为本申请提供的一种离子源的保护罩的结构示意图。
[0018]附图标注:100

离子源本体,200

挡板,210

移动控制机构,220

高度控制机构,300

保护罩,310

第一开口,320

第二开口。
具体实施方式
[0019]本申请实施例通过提供一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机,解决了相关技术中离子源刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。
[0020]本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题,总体思路如下:
[0021]一种光学镀膜机的离子源,光学镀膜机的伞架和离子源均设于光学镀膜机的真空腔室中,离子源包括离子源本体和挡板,离子源本体设于伞架下方,挡板配置有移动控制机构,以控制挡板移动至或移开离子源本体和伞架之间。
[0022]为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0023]请参照图1,本实施例公开一种光学镀膜机的离子源,光学镀膜机的伞架和离子源均设于光学镀膜机的真空腔室中,离子源包括离子源本体100和挡板200,离子源本体100设于伞架下方,挡板200配置有移动控制机构210,以控制挡板200移动至或移开离子源本体100和伞架之间。
[0024]为了解决离子源刚打开时可能会出现异常放电,所导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题,通过在伞架与离子源本体100之间增设挡板200,并且相应设置移动控制机构210,以控制挡板200的移动,具体在离子源本体100启动时将挡板200移动至离子源本体100与伞架之间,改善离子源启动时的高能量对伞架上基片初始膜层的影响;在离子源本体100稳定的时候再打开挡板200,体现在控制挡板200从离子源本体100与伞架的中间区域移开,后续工艺正常进行。本实施例通过增设挡板200及相应移动控制机构210,改善离子源本体100刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。
[0025]专利技术人发现光学镀膜机中,在电子枪蒸发基材时会有膜料蒸镀到离子源本体100的表面并对离子源本体100的正常运行产生一定的影响,增加了离子源的保养频次。因此,如图2所示,离子源还包括罩设离子源本体100的保护罩300,保护罩300开设有第一开口310和第二开口320,第一开口310用于裸露离子源本体100的阳极,第二开口320用于裸露离子源本体100的阴极。
[0026]该保护罩300覆盖离子源本体100,在光学镀膜机电子枪坩埚成膜过程中所产生的细微粉末和飞溅膜料通过保护罩300约束其对离子源本体100的不利影响,减少其对离子源运行时的干扰,有利于清洁,延长保养周期,并且不影响离子源本体100的正常使用,提升镀膜产品良率。
[0027]另一方面设置保护罩300为了保护离子源本体100的阳极和阴极,可以理解的是,
第一开口310和第二开口320的大小作适应性调整,如贴近两极的外缘设置,保护罩300可以根据离子源型号和外型不同进行适当改动,起保护离子源本体100容易产生脏污的阴极、阳极的目的。通过设置保护罩300,可以改善灰尘落入离子源本体100的阳极和阴极,此外还可以对其裸露在外部的线路起保护作用。
[0028]可选地,如图1所示,挡板200还配置有高度控制机构220,高度控制机构220以调控挡板200的高度。通过调控挡板200的高度,可以更大程度的减小离子源对伞架上基片初始膜层的影响。
[0029]移动控制机构210、高度控制机构220可采用气缸、液压缸、电机驱动进给等方式。可选地,移动控制机构210包括驱动挡板200水平移动的第一气缸。可选地,高度控制机构220包括驱动挡板200竖向移动的第二气缸。
[0030]关于离子源辅助沉积系统,包括上述的离子源,还包括有软件控制系统,在本实施例中,软件控制系统体现在控制挡板200的移动,包括软件控制系统用于控制移动控制机构210;当设置有高度控制机构220时,软件控本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学镀膜机的离子源,其特征在于,所述光学镀膜机的伞架和所述离子源均设于所述光学镀膜机的真空腔室中,所述离子源包括:离子源本体,所述离子源本体设于所述伞架下方;以及挡板,所述挡板配置有移动控制机构,以控制所述挡板移动至或移开所述离子源本体和所述伞架之间。2.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述移动控制机构控制所述挡板移动至所述离子源本体和所述伞架之间时,所述挡板与所述离子源本体的间距大于所述挡板与所述伞架的间距。3.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述挡板还配置有高度控制机构,所述高度控制机构以调控所述挡板的高度。4.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述移动控制机构包括驱动所述挡板水平移动的第一气缸。5.如权利要求3所述的离子源,其特征在于,所述高度控制机构包括驱动所述挡板竖向移动的第二气缸。6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊凯王俊周露露
申请(专利权)人:武汉锐晶激光芯片技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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