【技术实现步骤摘要】
一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机
[0001]本技术涉及光学镀膜机
,尤其涉及一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机。
技术介绍
[0002]光学镀膜机包括真空腔室,真空腔室中设有电子枪坩埚、伞架、修正板、加热装置和离子源辅助沉积系统。传统的离子源辅助沉积系统在离子源刚打开的时候可能会出现异常放电,会影响到光学镀膜机腔室内的电路系统如加热装置等,造成短路。
技术实现思路
[0003]本申请提供一种光学镀膜机的离子源及光学镀膜机,解决了相关技术中离子源刚打开时可能导致光学镀膜机腔室内电路系统故障的技术问题。
[0004]本申请提供一种光学镀膜机的离子源,光学镀膜机的伞架和离子源均设于光学镀膜机的真空腔室中,离子源包括离子源本体和挡板,离子源本体设于伞架下方,挡板配置有移动控制机构,以控制挡板移动至或移开离子源本体和伞架之间。
[0005]可选地,移动控制机构控制挡板移动至离子源本体和伞架之间时,挡板与离子源本体的间距大于挡板与伞架的间距。
[0006]可选地,挡板还配置有高度控制机构,高 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学镀膜机的离子源,其特征在于,所述光学镀膜机的伞架和所述离子源均设于所述光学镀膜机的真空腔室中,所述离子源包括:离子源本体,所述离子源本体设于所述伞架下方;以及挡板,所述挡板配置有移动控制机构,以控制所述挡板移动至或移开所述离子源本体和所述伞架之间。2.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述移动控制机构控制所述挡板移动至所述离子源本体和所述伞架之间时,所述挡板与所述离子源本体的间距大于所述挡板与所述伞架的间距。3.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述挡板还配置有高度控制机构,所述高度控制机构以调控所述挡板的高度。4.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述移动控制机构包括驱动所述挡板水平移动的第一气缸。5.如权利要求3所述的离子源,其特征在于,所述高度控制机构包括驱动所述挡板竖向移动的第二气缸。6.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊凯,王俊,周露露,
申请(专利权)人:武汉锐晶激光芯片技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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