半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施方式能抑制电压产生电路的面积增加、及电压产生电路所消耗的电流量增加。一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元；及电压产生电路，包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵，向第1存储单元供给电压。电压产生电路在向第1存储单元供给第1电压的第1动作中，将第1电荷泵与第2电荷泵之间电切断，在向第1存储单元供给高于第1电压的第2电压的第2动作中，将第1电荷泵的输出端与第2电荷泵的输入端之间电连接。出端与第2电荷泵的输入端之间电连接。出端与第2电荷泵的输入端之间电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
10010号(申请日：2021年1月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]作为半导体存储装置，已知有执行数据的写入、读出及删除等动作的NAND(Not AND，与非)型闪速存储器。NAND型闪速存储器具备电压产生电路。电压产生电路产生执行写入、读出及删除等动作时所使用的电压。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式能抑制电压产生电路的面积增加、及电压产生电路所消耗的电流量增加。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元；及电压产生电路，包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵，向第1存储单元供给电压，其中所述第1电荷泵及所述第2电荷泵各自具有输入端及输出端。电压产生电路在向第1存储单元供给第1电压的第1动作中，将第1电荷泵与第2电荷泵之间电切断，在向第1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：第1存储单元；及电压产生电路，包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵，向所述第1存储单元供给电压，其中所述第1电荷泵及所述第2电荷泵各自具有输入端及输出端；且作为所述电压产生电路，在向所述第1存储单元供给第1电压的第1动作中，将所述第1电荷泵与所述第2电荷泵之间电切断，在向所述第1存储单元供给高于所述第1电压的第2电压的第2动作中，将所述第1电荷泵的输出端与所述第2电荷泵的输入端之间电连接。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1特性包括从所述第1电荷泵的输出端供给的电流量是第1电流量，所述第2特性包括从所述第2电荷泵的输出端供给的电流量是第2电流量，且所述第1电流量大于所述第2电流量。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第1特性包括：在从所述第1电荷泵的输出端输出了所述第2电压的情况下，所述第2电压与已输入至所述第1电荷泵的输入端的电压的比率成为第1比率；所述第2特性包括：在从所述第2电荷泵的输出端输出了所述第2电压的情况下，所述第2电压与已输入至所述第2电荷泵的输入端的电压的比率成为第2比率；且所述第1比率低于所述第2比率。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第1特性包括：在从所述第1电荷泵的输出端输出了所述第1电压的情况下，所述第1电压与已输入至所述第1电荷泵的输入端的电压的比率成为第3比率；且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木良尚，柴山遥香，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：