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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:34285958
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本发明的一实施方式能抑制电压产生电路的面积增加、及电压产生电路所消耗的电流量增加。一实施方式的半导体存储装置具备:第1存储单元;及电压产生电路,包含具有第1特性的第1电荷泵、及具有第2特性的第2电荷泵,向第1存储单元供给电压。电压产生电路在...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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