峰值电流减小的多裸片存储器装置制造方法及图纸

本公开涉及峰值电流减小的多裸片存储器装置。一种存储器装置包括衬底，所述衬底包括衬底接触垫。所述存储器装置包括第一存储器裸片，所述第一存储器裸片包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第一存储器裸片上的第一电源电路的第一电源接触垫。所述第一存储器裸片进一步包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第一存储器裸片上的第一ESD电源箝位电路的第一静电放电ESD电源箝位接触垫。所述存储器装置进一步包括第二存储器裸片，所述第二存储器裸片包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第二存储器裸片上的第二电源电路的第二电源接触垫，以及电耦合到所述第二存储器裸片上的第二ESD电源箝位电路的第二ESD电源箝位接触垫，其中所述第二ESD电源箝位接触垫与所述衬底接触件电断开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
峰值电流减小的多裸片存储器装置


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及管理多裸片半导体装置中的峰值电流电平和电流消耗。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包括存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开是针对一种存储器装置，其包含：衬底，其包含衬底接触件；第一存储器裸片，其耦合到衬底，所述第一存储器裸片包含：第一电源接触垫，其电耦合到衬底接触件和第一存储器裸片上的第一电源电路；和第一静电放电(ESD)电源箝位接触垫，其电耦合到衬底接触垫和第一存储器裸片上的第一ESD电源箝位电路；以及第二存储器裸片，其包含：第二电源接触垫，其电耦合到衬底接触件和第二存储器裸片上的第二电源电路；和第二ESD电源箝位接触垫，其电耦合到第二存储器裸片上的第二ESD电源箝位电路，其中第二ESD电源箝位接触垫与衬底接触件电断开。/>[0004]在另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包含：衬底，其包含衬底接触件；第一存储器裸片，其耦合到所述衬底，所述第一存储器裸片包含：第一电源接触垫，其电耦合到所述衬底接触件和所述第一存储器裸片上的第一电源电路；以及第一静电放电ESD电源箝位接触垫，其电耦合到所述衬底接触垫和所述第一存储器裸片上的第一ESD电源箝位电路；以及第二存储器裸片，其包含：第二电源接触垫，其电耦合到所述衬底接触件和所述第二存储器裸片上的第二电源电路；以及第二ESD电源箝位接触垫，其电耦合到所述第二存储器裸片上的第二ESD电源箝位电路，其中所述第二ESD电源箝位接触垫与所述衬底接触件电断开。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器裸片和所述第二存储器裸片包含相同物理布置。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器裸片和所述第二存储器裸片布置在耦合到所述衬底的堆叠中。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一ESD电源箝位电路包含一或多个无源电路元件和一或多个有源电路元件以将ESD保护提供到所述第一存储器裸片和所述第二存储器裸片。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二ESD电源箝位电路在所述存储器装置的通电操作期间不对所述存储器装置的峰值电流电平有贡献。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述衬底接触件通过单个线接合和单个焊球电耦合到所述第一电源接触垫和所述第一ESD电源箝位接触垫。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述衬底接触件通过所述第一电源接触垫与所述第二电源接触垫之间的线接合电耦合到所述第二电源接触垫。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二ESD电源箝位电路不对所述存储器装置的总电流消耗电平有贡献。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电源接触垫对应于所述第一存储器裸片的正电压供应。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电源接触垫对应于所述第一存储器裸片的接地电压供应。11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器裸片包含第三电源接触垫。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述第一电源接触垫对应于所述第一存储器裸片的正电压供应，且所述第三电源接触垫对应于所述第一存储器裸片的接地电压供应。13.一种半导体装置，其包含：衬底；第一半导体裸片，耦合到所述衬底，所述第一半导体裸片包含：
第一接触垫，其电耦合到所述第一半导体裸片上的第一电路，其中所述第一电路包含至少一个有源电路元件；以及第二接触垫，其电耦合到所述第一半导体裸片上的第二电路，其中所述第二电路包含至少一个无源电路元件；其中所述衬底包含电耦合到所述第一接触垫和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：志水唯，J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：