用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统技术方案

一种用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统，包括能量源、热辅助磁记录头，该热辅助磁记录头包括：主磁极，该主磁极用于热辅助磁记录介质的写入；波导，该波导用于引导由能量源产生的能量；以及PPG，该PPG包括钉状件并与波导相邻，该PPG用于将能量转换成表面等离子体，该表面等离子体沿着钉状件行进以加热热辅助磁记录介质。主磁极包括能够产生第一磁场强度的第一部分以及能够产生比第一磁场强度强的磁场强度的至少一个附加部分，使得当在热辅助磁记录介质上进行写入时，主磁极的沿着其水平方向的磁场能够生成基本上直的过渡曲线。方向的磁场能够生成基本上直的过渡曲线。方向的磁场能够生成基本上直的过渡曲线。

Improved system of transition curvature for thermally assisted magnetic recording

【技术实现步骤摘要】
用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统


[0001]本专利技术涉及热辅助磁记录领域更具体地，涉及用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统。

技术介绍

[0002]最近，热辅助磁记录(thermally assisted magnetic recording，TAMR；在本领域中也被称为heat assisted magnetic recording，HAMR)在技术竞争中变得越来越重要。热辅助磁记录的传统主磁极是由单一类型的材料制成的，因此，从主磁极生成的磁场在主磁极内将是相似的。在热辅助磁记录上写入的情况下，由于热区是圆形形状以及沿着主磁极水平方向的磁场强度是均匀的，热辅助磁记录的写入位置是沿着热区的。这样就会产生圆形形状过渡曲率，圆形形状过渡曲率属于较差的过渡曲率。
[0003]因此，长期以来亟需一种改进热辅助磁记录过渡曲率的系统，这将增加位密度和面密度容量。

技术实现思路

[0004]提供本
技术实现思路
是为了介绍与用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统相关的概念，并且在下面的具体实施方式中进一步描述该概念。本
技术实现思路
不旨在确定要求保护的主题的本质特征，也不旨在用于确定或限制要求保护的主题的范围。
[0005]在一个实施方式中，公开了用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统。该系统可以包括：诸如激光器的能量源、热辅助磁记录介质、热辅助磁记录头，该热辅助磁记录头还包括波导、主磁极和包括钉状件(peg，桩状件)的平面等离子体发生器(planar plasmon generator，PPG)。主磁极可以促进热辅助磁记录介质的写入。波导可以促进引导能量。平面等离子体发生器(PPG)可以与波导相邻并且促进将能量转换成表面等离子体，该表面等离子体沿着钉状件行进以加热热辅助磁记录介质。主磁极可以包括：第一部分，该第一部分能够产生第一磁场强度；以及至少一个附加部分，该至少一个附加部分能够产生比第一磁场强度强的磁场强度。当在热辅助磁记录介质上进行写入时，主磁极的沿着其水平方向的磁场能够生成基本上直的过渡曲线。
附图说明
[0006]参考所附附图描述具体实施方式。在附图中，附图标记的最左边的数字标识附图标记在其中首次出现的图。在整个附图中使用相同的数字来表示相同的特征和部件。
[0007]图1(a)和图1(b)例示了传统主磁极和该传统主磁极的过渡曲线。
[0008]图2(a)和图2(b)例示了根据本申请的实施方式的混合材料主磁极和该混合材料主磁极的过渡曲线。
[0009]图3(a)和图3(b)例示了根据本申请的实施方式的凹口主磁极和该凹口主磁极的过渡曲线。
[0010]图4(a)、图4(b)、图4(c)、图4(d)、图4(e)、图4(f)和图4(g)、图4(h)、图4(i)例示了根据本申请的实施方式的热辅助磁记录头的主磁极的二矩形结构变型。
[0011]图5(a)、图5(b)、图5(c)、图5(d)、图5(e)、图5(f)和图5(g)、图5(h)、图5(i)例示了根据本申请的实施方式的热辅助磁记录头的主磁极的n
‑
矩形结构变型。
[0012]图6(a)、图6(b)、图6(c)、图6(d)、图6(e)、图6(f)和图6(g)、图6(h)、图6(i)例示了根据本申请的实施方式的热辅助磁记录头的主磁极的三角形形状的面向介质的表面结构变型。
[0013]图7(a)、图7(b)、图7(c)、图7(d)、图7(e)、图7(f)和图7(g)、图7(h)、图7(i)例示了根据本申请的实施方式的热辅助磁记录头的主磁极的凹口/弯曲形状的面向介质的表面结构变型。
[0014]图8例示了用于热辅助磁记录头的过渡曲率改进的系统。
[0015]图9例示了根据本申请的实施方式的描绘“跨轨道(track，磁道、轨迹)修整的PW50”的图。
[0016]图10(a)和图10(b)例示了根据本申请的实施方式的描绘ADC与二次因子的图。
具体实施方式
[0017]整个说明书中对“各种实施方式”、“一些实施方式”、“一个实施方式”或“实施方式”的参考意味着结合该实施方式描述的特别的特征、结构或特点被包括在至少一个实施方式中。因此，在整个说明书中出现的短语“在各种实施方式中”、“在一些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在实施方式中”不一定都参考同一实施方式。此外，这些特别的特征、结构或特点可以在一个或多个实施方式中以任何适合的方式进行组合。
[0018]参考图1(a)和图1(b)，例示了传统热辅助磁记录头100的主要部分以及获得的用于该传统热辅助磁记录头100的过渡曲线103。传统热辅助磁记录头100的主要部分包括用于在记录介质上写入的磁极101(在下文中也可互换地称为主磁极101)以及用于加热记录介质上的精确点的钉状件102。主磁极101(如在图1(a)中示出的)可以由单一类型的材料制成。因此，从主磁极101生成的磁场在整个主磁极101内将是相似的。在热辅助磁记录(TAMR)上写入的情况下，热辅助磁记录(TAMR)的写入位置可能是沿着热区的。这可能是由于热区是圆形形状以及沿着主磁极101的水平方向的均匀的磁场强度引起的。这样会导致圆形形状过渡曲率(如在图1(b)中示出的)，圆形形状过渡曲率属于较差的过渡曲率103，因此期望改进主磁极的过渡曲率。
[0019]参考图2(a)和图2(b)，例示了根据本申请的实施方式的热辅助磁记录头200的主要部分以及获得的用于该热辅助磁记录头200的过渡曲线203。热辅助磁记录头200可以克服传统热辅助磁记录头100的局限性。热辅助磁记录头200的主要部分包括用于在记录介质上写入的主磁极101和用于加热在记录介质上的精确点的钉状件102。混合材料类型的主磁极101可以生成沿着主磁极101的水平方向的不同的场强，这使得过渡曲率能够改进，由此增加位密度和面密度容量。混合材料类型的主磁极101可以包括在主磁极101的外侧的高饱和磁通密度材料201以及在主磁极101的中心的低饱和磁通密度材料或非磁性材料202。混合材料主磁极101可以在主磁极101的与较低介质温度区域相结合的外侧生成大磁头场强。混合材料主磁极101还可以在主磁极101的与较高介质温度区域相结合的中心生成较小的
磁头场强。在一个实施方式中，混合材料热辅助磁记录头200可以使得热辅助磁记录的整体写入位置能够根据对应的所需介质温度来进行优化，从而可以进一步促进获得沿着水平方向的线性的过渡曲率203。
[0020]参考图3(a)和图3(b)，例示了根据本申请的实施方式的凹口热辅助磁记录头300及其相应的过渡曲线。在一个实施方式中，凹口热辅助磁记录头300可以包括具有凹口形状的曲线301的主磁极101。凹口形状的曲线301可以促进热辅助磁记录的过渡曲率改进。凹口主磁极是实现主磁极101上沿水平方向的不同磁场的另一种方法。
[0021]参考图4(a)、图4(b)、图4(c)、图4(d)、图4(e)、图4(f)、图4(g)、图4(h)、图4(i)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热辅助磁记录头，包括：主磁极，所述主磁极用于热辅助磁记录介质的写入；波导，所述波导用于引导能量；以及平面等离子体发生器(PPG)，所述平面等离子体发生器包括钉状件并且与所述波导相邻，所述平面等离子体发生器用于将所述能量转换成表面等离子体，所述表面等离子体沿着所述钉状件行进以加热所述热辅助磁记录介质；其中，所述主磁极包括能够产生第一磁场强度的第一部分以及能够产生比所述第一磁场强度强的磁场强度的至少一个附加部分，使得当在所述热辅助磁记录介质上进行写入时，所述主磁极的沿着其水平方向的磁场能够生成直的过渡曲线；其中，所述第一部分由具有第一饱和磁通密度的磁性材料或非磁性材料制成，并且每个附加部分由具有比所述第一饱和磁通密度大的饱和磁通密度的材料制成；其中，所述第一部分放置在所述主磁极的中心，并且所述至少一个附加部分包括沿着所述主磁极的水平方向将所述第一部分夹于之间的第二部分，所述第二部分由具有第二饱和磁通密度的材料制成，所述第二饱和磁通密度比所述第一饱和磁通密度大；其中，所述至少一个附加部分还包括沿着所述主磁极的水平方向分别放置在所述第二部分的两侧上的两个第三部分，每个第三部分由具有第三饱和磁通密度的材料制成，所述第三饱和磁通密度比所述第二饱和磁通密度大。2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中，所述第一部分的截面的形状是矩形或半圆形。3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中，所述两个第三部分由不同的材料制成。4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头，其中，所述主磁极具有凹口形状的面向介质的表面、或平面的面向介质的表面、或三角形形...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎韦源，马信杰，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：