磁盘装置制造方法及图纸

实施方式提供能够合适地控制磁头的动作的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、磁头和控制器。磁盘具有多个磁道。磁头对多个磁道进行读取/写入。控制器，在执行对多个磁道中的第1磁道的写入的期间、磁头的位置从与第1磁道相关的目标位置向第2磁道侧变动而第1距离超过了第1阈值的第1情况下，以与第1距离不足第1阈值的第2情况不同的条件，控制对第2磁道的写入。此外，第2磁道是多个磁道中的与第1磁道不同的磁道。另外，第1距离是从目标位置到磁头的位置的距离。头的位置的距离。头的位置的距离。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置
[0001]本申请享受以日本专利申请2020
‑
157429号(申请日：2020年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本实施方式涉及磁盘装置。

技术介绍

[0003]在磁盘装置中，磁头对磁盘进行数据的写入及数据的读取。希望合适地控制磁头的动作。

技术实现思路

[0004]一个实施方式提供一种能够合适地控制磁头的动作的磁盘装置。
[0005]根据一个实施方式，磁盘装置具备磁盘、磁头和控制器。磁盘具有多个磁道。磁头对多个磁道进行读取/写入。控制器，在执行对多个磁道中的第1磁道的写入的期间、磁头的位置从与第1磁道相关(第1磁道所涉及)的目标位置向第2磁道侧变动而第1距离超过了第1阈值的第1情况下，以与第1距离不足第1阈值的第2情况不同的条件，控制对第2磁道的写入。此外，第2磁道是多个磁道中的与第1磁道不同的磁道。另外，第1距离是从目标位置到磁头的位置的距离。
附图说明
[0006]图1是示出第1实施方式的磁盘装置的构成的一例的示意性的图。
[0007]图2是示出第1实施方式的磁盘的构成的一例的示意性的图。
[0008]图3是用于说明写入数据时的第1实施方式的磁头的动作的一例的示意性的图。
[0009]图4是用于说明第1实施方式的WOS的设定方法的示意性的图。
[0010]图5是用于说明第1实施方式的写入的动作的流程图。
[0011]图6是用于说明第1实施方式的WOS的变更相关的一系列的动作的流程图。
[0012]图7是用于说明第1实施方式的WOS的设定方法的另一例的示意性的图。
[0013]图8是用于说明第2实施方式的振动衰减阈值的变更相关的一系列的动作的流程图。
[0014]图9是用于说明第3实施方式的寻道速度的变更相关的一系列的动作的流程图。
具体实施方式
[0015]以下，参照附图，对实施方式的磁盘装置进行详细说明。此外，本专利技术不受这些实施方式所限定。
[0016](第1实施方式)
[0017]图1是示出第1实施方式的磁盘装置1的构成的一例的示意性的图。
[0018]磁盘装置1连接于主机2。磁盘装置1能够从主机2接收写入命令、读取命令等访问命令。
[0019]磁盘装置1具备在表面形成有记录面的磁盘11。磁盘装置1根据访问命令，对磁盘11(更准确地说是磁盘11的记录面)进行数据的写入及数据的读取。此外，磁盘装置1可具有多张磁盘11，但在实施方式中，为了简化说明及图示，设为磁盘装置1具备1张磁盘11。
[0020]数据的写入及读出经由磁头22进行。具体地说，磁盘装置1除了磁盘11之外，还具备主轴马达12、马达驱动器IC(Integrated Circuit，集成电路)21、磁头22、致动器臂15、音圈马达(VCM)16、斜坡13、头IC24、读写通道(RWC)25、RAM27、FROM(Flash Read Only Memory，闪速只读存储器)28、缓冲存储器29、硬盘控制器(HDC)23及处理器26。
[0021]磁盘11通过安装于磁盘11的旋转轴的主轴马达12而以预定的旋转速度旋转。主轴马达12由马达驱动器IC21驱动。
[0022]马达驱动器IC21控制主轴马达12的旋转及VCM16的旋转。
[0023]磁头22通过其所具备的写入元件22w及读取元件22r，对磁盘11进行数据的写入及数据的读取。另外，磁头22安装于致动器臂15的前端。磁头22通过由马达驱动器IC21驱动的VCM16，沿着磁盘11的径向移动。
[0024]在磁盘11的旋转停止时等，磁头22移动到斜坡13上。斜坡13构成为将磁头22保持在从磁盘11离开了的位置。
[0025]头IC24在读出时，将磁头22从磁盘11读出的信号放大并输出，向RWC25供给。另外，头IC24将从RWC25供给的与写入对象的数据对应的信号放大，向磁头22供给。
[0026]HDC23进行经由I/F总线而与主机2之间进行的数据的收发的控制、缓冲存储器29的控制以及读出的数据的纠错处理等。
[0027]缓冲存储器29被用作与主机2之间收发的数据的缓冲器。例如，缓冲存储器29用于暂时存储要向磁盘11写入的数据或从磁盘11读出的数据。
[0028]缓冲存储器29例如由能够进行高速动作的易失性存储器构成。构成缓冲存储器29的存储器的种类不限定于特定的种类。缓冲存储器29例如可由DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)或它们的组合构成。
[0029]RWC25将从HDC23供给的写入对象的数据调制而向头IC24供给。另外，RWC25将从磁盘11读出并从头IC24供给的信号解调而作为数字数据向HDC23输出。
[0030]处理器26例如是CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)。在处理器26连接有RAM27、FROM(Flash Read Only Memory)28及缓冲存储器29。
[0031]FROM28是非易失性存储器。在FROM28储存固件(程序数据)及各种动作参数等。此外，固件也可以储存于磁盘11。
[0032]RAM27例如由DRAM、SRAM或它们的组合构成。RAM27由处理器26作为动作用的存储器而使用。RAM27作为加载固件的区域、保持各种管理数据的区域而使用。
[0033]处理器26按照储存于FROM28或磁盘11的固件而进行该磁盘装置1的整体的控制。例如，处理器26从FROM28或磁盘11将固件加载到RAM27，按照所加载的固件，执行马达驱动器IC21、头IC24、RWC25、HDC23等的控制。
[0034]此外，包含RWC25、处理器26及HDC23的构成也可以视为控制器30。控制器30也可以
除了这些之外，还包含其他要素(例如RAM27、FROM28、缓冲存储器29或RWC25等)。
[0035]图2是示出第1实施方式的磁盘11的构成的一例的示意性的图。
[0036]在制造工序中，例如通过伺服写入器或通过自伺服写入(SSW)，向磁盘11写入伺服信息。根据图2，作为被写入了伺服信息的伺服区域的配置的一例，示出了呈放射状配置的伺服区域42。
[0037]伺服信息包含扇区/柱面信息、脉冲串图案(burst pattern)及后置码(post code)等。扇区/柱面信息能够给出磁盘11的圆周方向的伺服地址(伺服扇区地址)及半径方向的伺服地址(磁道地址)。在磁盘装置1动作时，扇区/柱面信息被用于使磁头22移动至目标磁道的寻道动作的控制。
[0038]脉冲串图案定义多个磁道各自的位置。更详细地说，脉冲串图案定义各磁道。在此，由脉冲串图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁盘装置，具备：磁盘，具有多个磁道；磁头，对所述多个磁道进行读取/写入；以及控制器，在执行对所述多个磁道中的第1磁道的写入的期间、所述磁头的位置从与所述第1磁道相关的目标位置向所述多个磁道中的与所述第1磁道不同的第2磁道侧变动而从所述目标位置到所述磁头的位置的第1距离超过了第1阈值的第1情况下，以与距所述目标位置的距离不足第1阈值的第2情况不同的条件，控制对所述第2磁道的写入。2.根据权利要求1所述的磁盘装置，所述多个磁道中的1个磁道介于所述第1磁道与所述第2磁道之间。3.根据权利要求1所述的磁盘装置，所述条件是第2阈值，所述控制器如下地进行控制：在所述第1情况下，与所述第2情况相比，使所述第2阈值变小，在执行对所述第2磁道的写入时，在从所述第2磁道的目标位置到所述磁头的第2距离超过了所述第2阈值的情况下，不执行对所述第2磁道的写入，在所述第2距离不足所述第2阈值的情况下，执行对所述第2磁道的写入。4.根据权利要求3所述的磁盘装置，所述控制器，在所述第1情况下，在与所述第1距离超过了第1阈值的所述第1磁道的周向的第1位置对应的所述第2磁道的周向的第2位置，使所述第2阈值变小。5.根据权利要求4所述的磁盘装置，所述控制器，在第1情况下，在所述第2磁道的周向上，朝向所述第2位置使所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田雄祐，大薮弘志，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：