磁盘装置的制造方法制造方法及图纸

一实施方式提供能够使校正信息的学习和写入的效率提高的磁盘装置的制造方法。实施方式的磁盘装置的制造方法包括：使磁头移动以使得读头位于在磁盘的半径方向上设定的多个学习位置中的第1学习位置上；以及使用读头来学习与第1学习位置相关的RRO校正信息。再者，磁盘装置的制造方法包括：使磁头移动以使得读头位于多个学习位置中的第2学习位置上；以及一边在读头位于第2学习位置上时使用读头来学习与第2学习位置相关的RRO校正信息，一边并行地使用写头执行与第1学习位置相关的RRO校正信息的写入。息的写入。息的写入。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置的制造方法
[0001]本申请享受以日本专利申请2020
‑
157843号(申请日：2020年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0002]本实施方式涉及磁盘装置的制造方法。

技术介绍

[0003]以往，作为磁盘装置中的磁头的定位误差的一个成分，已知RRO(Repeatable RunOut，可重复性偏摆)。RRO是指由脉冲串图案(burst pattern)定义的磁道轨道与实际的磁道轨道的位置偏离。RRO与磁盘(以及主轴马达)的旋转同步地变动。
[0004]在磁盘装置的制造工序中，学习用于校正RRO的位置偏离的校正信息(换句话说是RRO校正信息)，并将得到的校正信息写入磁盘。在使用磁盘装置时，利用校正信息进行磁头的位置校正。

技术实现思路

[0005]一实施方式提供能够使校正信息的学习和写入的效率提高的磁盘装置的制造方法。
[0006]根据一实施方式，具备磁盘和磁头的磁盘装置的制造方法包括：在所述磁盘的半径方向上设定多个学习位置；使所述磁头移动以使得所述磁头所具有的读头位于所述多个学习位置中的第1学习位置上；以及所述读头位于所述第1学习位置上时使用所述读头来学习与所述第1学习位置相关的RRO(Repeatable RunOut)校正信息。再者，磁盘装置的制造方法包括：使所述磁头移动以使得所述读头位于所述多个学习位置中的第2学习位置上；以及一边在所述读头位于所述第2学习位置上时使用所述读头来学习与所述第2学习位置相关的RRO校正信息，一边并行地使用所述写头执行与所述第1学习位置相关的所述RRO校正信息向第1范围的写入。此外，所述读头位于所述第2学习位置上时所述磁头所具有的写头位于通过包含所述第1学习位置的所述第1范围的一部分的位置。
附图说明
[0007]图1是表示实施方式的磁盘装置的构成的一例的示意图。
[0008]图2是表示实施方式的磁盘的构成的一例的示意图。
[0009]图3是用于说明实施方式的读头和写头之间的位置关系的一例的图。
[0010]图4是用于说明实施方式的头位置间距离根据磁头的位置而不同的图。
[0011]图5是用于说明实施方式的各种动作中的磁头的位置的例子的示意图。
[0012]图6是表示实施方式的校正信息的配置方法的一例的详情的示意图。
[0013]图7是表示实施方式的校正信息的配置方法的另一例的详情的示意图。
[0014]图8是用于说明实施方式涉及的校正信息的写入范围的图。
[0015]图9是用于说明实施方式涉及的并行处理的图。
[0016]图10是用于说明实施方式涉及的L的设定方法的图。
[0017]图11
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1是表示基于实施方式的式(8)计算出的L的值与Y的值的关系的坐标图。
[0018]图11
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2是将图11
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1所示的坐标图中的Y的值大的区域104放大的坐标图。
[0019]图12
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1是表示校正信息的学习和写入的实施方式涉及的动作的一例的流程图。
[0020]图12
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2是表示校正信息的学习和写入的实施方式涉及的动作的一例的流程图。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图，详细说明实施方式涉及的磁盘装置的制造方法。此外，本专利技术并非由该实施方式所限定。
[0022](实施方式)
[0023]图1是表示实施方式的磁盘装置1的构成的一例的示意图。
[0024]磁盘装置1与主机2连接。磁盘装置1能够从主机2接收写指令、读指令等访问指令(access command)。
[0025]磁盘装置1具备表面形成磁性层的磁盘11。磁盘装置1根据访问指令而向磁盘11写入数据或从磁盘11读取数据。
[0026]数据的写入和读取经由磁头22进行。具体而言，磁盘装置1除了磁盘11之外还具备主轴马达12、斜坡(ramp，起停区)13、致动臂(actuator arm)15、音圈马达(VCM：Voice Coil Motor)16、马达驱动器IC(Integrated Circuit，集成电路)21、磁头22、硬盘控制器(HDC)23、头IC24、读写通道(RWC：Read Write Channel)25、处理器26、RAM27、FROM(Flash Read Only Memory)28以及缓冲存储器(buffer memory)29。
[0027]磁盘11通过同轴安装的主轴马达12而以预定转速旋转。主轴马达12由马达驱动器IC21驱动。
[0028]处理器26经由马达驱动器IC21控制主轴马达12的旋转以及VCM16的旋转。
[0029]磁头22由其所具备的写头22w和读头22r针对磁盘11进行信息的写入和读取。另外，磁头22安装在致动臂15的最前端。磁头22通过由马达驱动器IC21驱动的VCM16，在磁盘11的半径方向上移动。
[0030]在磁盘11的旋转停止时等，磁头22移动到斜坡13上。斜坡13构成为将磁头22保持在从磁盘11离开的位置上。
[0031]在读取时，头IC24将磁头22从磁盘11读取到的信号放大并输出，供给到RWC25。另外，在写入时，头IC24将与从RWC25供给的写入对象的数据对应的信号放大并供给到磁头22。
[0032]HDC23进行经由I/F(接口)总线在与主机2之间进行的数据收发的控制、缓冲存储器29的控制、以及读取到的数据的纠错处理等。
[0033]缓冲存储器29被用作在与主机2之间收发的数据的缓冲器。例如，缓冲存储器29被用于临时存储向磁盘11写入的数据或者从磁盘11读取的数据。
[0034]缓冲存储器29例如由能够进行高速动作的易失性存储器构成。构成缓冲存储器29的存储器的种类不限定于特定种类。缓冲存储器29例如可以由DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存
取存储器)或者它们的组合构成。
[0035]RWC25将从HDC23供给的写入对象的数据进行调制并向头IC24供给。另外，RWC25将从磁盘11读出且从头IC24供给的信号进行解调而作为数字数据向HDC23输出。
[0036]处理器26例如为CPU(Central Processing Unit)。处理器26连接有RAM27、FROM(Flash Read Only Memory)28以及缓冲存储器29。
[0037]FROM28为非易失性存储器。在FROM28中存储固件(程序数据)以及各种动作参数等。此外，固件也可以存储于磁盘11。
[0038]RAM27例如由DRAM、SRAM或者它们的组合构成。RAM27由处理器26作为动作用的存储器来使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁盘装置的制造方法，是具备磁盘和磁头的磁盘装置的制造方法，包括：在所述磁盘的半径方向上设定多个学习位置；使所述磁头移动以使得所述磁头所具有的读头位于所述多个学习位置中的第1学习位置上；所述读头位于所述第1学习位置上时使用所述读头来学习与所述第1学习位置相关的RRO校正信息即可重复性偏摆校正信息；使所述磁头移动以使得所述读头位于所述多个学习位置中的第2学习位置上，所述读头位于所述第2学习位置上时所述磁头所具有的写头位于通过包含所述第1学习位置的第1范围的一部分的位置；以及一边在所述读头位于所述第2学习位置上时使用所述读头来学习与所述第2学习位置相关的RRO校正信息，一边并行地使用所述写头执行与所述第1学习位置相关的所述RRO校正信息的向所述第1范围的写入。2.根据权利要求1所述的磁盘装置的制造方法，设定所述多个学习位置还包括，在从所述第1学习位置向第1方向分离开的位置设定所述第2学习位置，所述第1方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：工藤文也，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：