硼硅太阳电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硼硅太阳电池。该硼硅太阳电池包括硅基底、发射极层、正电极层、背电极层、铝背场层以及硼硅背场层；硅基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，发射极层位于第一表面，正电极层位于发射极层远离硅基底的表面；铝背场层位于第二表面，硼硅背场层自第二表面渗入硅基底，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面。在该硼硅太阳电池中，主要通过硼硅背场层的设置能够有效减少少子的复合，另外，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面，通过硼硅背场层和背电极层导出电流，可以是电子流出路径变短，串阻降低，这样可以进一步优化背电极处的电流收集，提高电池性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
硼硅太阳电池


[0001]本技术涉及太阳电池
，尤其是涉及一种硼硅太阳电池。

技术介绍

[0002]太阳能目前被认为是较为清洁且来源丰富的能源之一。随着技术的不断进步，太阳能的应用场景也越来越多。但是，在传统的太阳电池中，由于结构的制约使得背电极处电流收集还是欠佳，使得电池性能还有待进一步提高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种能够进一步提高电池性能的硼硅太阳电池。
[0004]为解决以上技术问题，本技术的技术方案为：
[0005]一种硼硅太阳电池，包括硅基底、发射极层、正电极层、背电极层、铝背场层以及硼硅背场层；
[0006]所述硅基底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述发射极层位于所述第一表面，所述正电极层位于所述发射极层远离所述硅基底的表面；
[0007]所述铝背场层位于所述第二表面，所述硼硅背场层自所述第二表面渗入所述硅基底，所述背电极层设于所述硼硅背场层远离所述硅基底的表面。
[0008]在其中一个实施例中，所述硼硅背场层的表面与所述第二表面平齐。
[0009]在其中一个实施例中，所述硼硅太阳电池还包括铝硅接触层，所述铝硅接触层自所述第二表面渗入所述硅基底，所述铝硅接触层与所述硼硅背场层错开设置，所述铝背场层设于所述铝硅接触层的表面。
[0010]在其中一个实施例中，所述铝硅接触层朝向所述硅基底凹陷以形成让位空隙，所述铝背场层延伸至填充所述让位空隙。
[0011]在其中一个实施例中，所述发射极层包括轻掺杂子层和重掺杂子层，所述轻掺杂子层位于所述第一表面，所述重掺杂子层位于所述轻掺杂子层的内部，所述正电极层位于所述重掺杂子层远离所述硅基底的表面。
[0012]在其中一个实施例中，所述硼硅太阳电池还包括正钝化膜层，所述正钝化膜层位于所述发射极层远离所述硅基底的表面，所述正电极层穿过所述正钝化膜层且凸出于所述正钝化膜层。
[0013]在其中一个实施例中，所述正钝化膜层包括第一氮化硅膜层和氧化硅膜层，所述第一氮化硅膜层和所述氧化硅膜层层叠设置，所述第一氮化硅膜层较所述氧化硅膜层更加远离所述发射极层。
[0014]在其中一个实施例中，所述硼硅太阳电池还包括背钝化膜层，所述背钝化膜层位于所述第二表面，所述铝背场层较所述背钝化膜层更加远离所述硅基底，所述背电极层凸出于所述背钝化膜层。
[0015]在其中一个实施例中，所述背电极层穿过所述背钝化膜层和所述铝背场层。
[0016]在其中一个实施例中，所述背钝化膜层包括第二氮化硅膜层和氧化铝膜层，所述第二氮化硅膜层和所述氧化铝膜层层叠设置，所述第二氮化硅膜层较所述氧化铝膜层更加远离所述硅基底。
[0017]上述硼硅太阳电池包括硅基底、发射极层、正电极层、背电极层、铝背场层以及硼硅背场层；硅基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，发射极层位于第一表面，正电极层位于发射极层远离硅基底的表面；铝背场层位于第二表面，硼硅背场层自第二表面渗入硅基底，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面。在该硼硅太阳电池中，主要通过硼硅背场层的设置能够有效减少少子的复合，另外，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面，通过硼硅背场层和背电极层导出电流，可以是电子流出路径变短，串阻降低，这样可以进一步优化背电极处的电流收集，提高电池性能。
附图说明
[0018]图1为本技术一实施例中硼硅太阳电池的结构示意图；
[0019]图2为图1对应的硅硼太阳电池的背面示意图；
[0020]图3为本技术一实施例中PERC太阳电池的结构示意图；
[0021]图4为图3对应的PERC太阳电池的背面示意图。
[0022]图中标记说明：
[0023]100、硼硅太阳电池；101、硅基底；102、发射极层；1021、轻掺杂子层；1022、重掺杂子层；103、正电极层；104、背电极层；105、铝背场层；106、硼硅背场层；107、铝硅接触层；108、正钝化膜层；1081、第一氮化硅膜层；1082、氧化硅膜层；109、背钝化膜层；1091、第二氮化硅膜层；1092、氧化铝膜层。
[0024]200、PERC太阳电池；201、硅基底；202、发射极层；2021、轻掺杂子层；2022、重掺杂子层；203、正电极层；204、背电极层；205、铝背场层；206、铝硅接触层；207、正钝化膜层；2071、第一氮化硅膜层；2072、氧化硅膜层；208、背钝化膜层；2081、第二氮化硅膜层；2082、氧化铝膜层。
具体实施方式
[0025]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]请参阅图1和图2，本技术一实施例提供了一种硼硅太阳电池100。该硼硅太阳电池100包括硅基底101、发射极层102、正电极层103、背电极层104、铝背场层105以及硼硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼硅太阳电池，其特征在于，包括硅基底、发射极层、正电极层、背电极层、铝背场层以及硼硅背场层；所述硅基底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述发射极层位于所述第一表面，所述正电极层位于所述发射极层远离所述硅基底的表面；所述铝背场层位于所述第二表面，所述硼硅背场层自所述第二表面渗入所述硅基底，所述背电极层设于所述硼硅背场层远离所述硅基底的表面。2.如权利要求1所述的硼硅太阳电池，其特征在于，所述硼硅背场层的表面与所述第二表面平齐。3.如权利要求1所述的硼硅太阳电池，其特征在于，还包括铝硅接触层，所述铝硅接触层自所述第二表面渗入所述硅基底，所述铝硅接触层与所述硼硅背场层错开设置，所述铝背场层设于所述铝硅接触层的表面。4.如权利要求3所述的硼硅太阳电池，其特征在于，所述铝硅接触层朝向所述硅基底凹陷以形成让位空隙，所述铝背场层延伸至填充所述让位空隙。5.如权利要求1所述的硼硅太阳电池，其特征在于，所述发射极层包括轻掺杂子层和重掺杂子层，所述轻掺杂子层位于所述第一表面，所述重掺杂子层位于所述轻掺杂子层的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：眭山，郑清吉，戴睿哲，芮亚豪，吴星，周文波，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：新型
国别省市：