背接触电池及其制备方法技术

本申请提供一种背接触电池及其制备方法，所述背接触电池包括硅基底、设置在所述硅基底背面的金属电极，所述硅基底具有相邻的第一区域与第二区域，所述第一区域的背面形成有第一掺杂层；所述第二区域的背面朝内凹陷形成沟槽，所述沟槽的底部形成有第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述沟槽的侧壁间隔设置。所述背接触电池的制备方法主要包括先对硅基底的两侧表面同时进行第一次扩散，在所述第一区域的背面形成第一掺杂层；再于第二区域刻蚀形成相应的沟槽，并在所述沟槽内制备掺杂源层，控制所述掺杂源层与沟槽的侧壁间隔设置；进行第二次扩散，形成第二掺杂层。本申请背接触电池及其制备方法能够避免漏电异常，提高载流子收集效率，改善电池性能。改善电池性能。改善电池性能。

Back contact battery and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
背接触电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳能发电
，特别涉及一种背接触电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的迅速发展，国内外市场对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求，这也推动众多厂商积极进行新型电池结构及生产工艺的研究，以期取得行业优势。
[0003]背接触(Interdigitated back contact，IBC)电池是指在电池背面制备交叉排布的P区和N区的太阳能电池，其最大的优势在于彻底避免电池正面电极对入射光的遮挡，最大限度地利用入射光，提高短路电流。现有背接触电池背面的P区和N区多处于同样的高度，相邻的P区与N区之间易出现电性异常导通，影响电池效率；且现有的背接触电池的制备往往需要进行多次光刻，工艺较为复杂。业内亦公开有在电池背面进行开槽，使得电池背面的P区与N区处于不同高度的技术方案，但导电类型不同的区域仍存有异常导通的风险。
[0004]鉴于此，有必要提供一种新的背接触电池及其制备方法。

技术实现思路

[0005]本申请目的在于提供一种背接触电池及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触电池，包括硅基底、设置在所述硅基底背面的金属电极，其特征在于：所述硅基底具有相邻的第一区域与第二区域，所述第一区域的背面形成有第一掺杂层；所述第二区域的背面朝内凹陷形成沟槽，所述沟槽的底部形成有第二掺杂层，所述第二掺杂层与第一掺杂层的掺杂类型相反，且所述第二掺杂层与所述沟槽的侧壁间隔设置。2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于：所述第二掺杂层与所述沟槽的侧壁的距离设置为5～50μm。3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于：所述沟槽的深度设置为1～10μm。4.根据权利要求1或3所述的背接触电池，其特征在于：所述第一掺杂层的厚度小于所述沟槽的深度。5.根据权利要求4所述的背接触电池，其特征在于：所述第一掺杂层的厚度设置为0.1～1μm。6.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于：所述第一区域包括若干第一条形区，所述第二区域包括若干第二条形区，所述第一条形区与第二条形区依次交替排布；所述第一条形区的宽度小于所述第二条形区的宽度，所述第二条形区的宽度均设置为100～700μm。7.根据权利要求6所述的背接触电池，其特征在于：所述第二条形区内的第二掺杂层的宽度设置为80～680μm。8.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于：所述硅基底为N型硅片，且所述硅基底的设置为0.3～7Ω
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cm；所述第二掺杂层为P型掺杂层。9.根据权利要求1或8所述的背接触电池，其特征在于：所述第一掺杂层为磷掺杂层；所述第二掺杂层为硼掺杂层。10.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于：所述背接触电池还包括设置在所述硅基底背面的背钝化层，所述背钝化层包括氧化铝膜、氧化硅膜、氮化硅膜中的至少一种。11.一种背接触电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，杨慧，邓伟伟，蒋方丹，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：