背接触电池及其制造方法、光伏组件技术

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，制造方法包括：提供具有沿第一方向上相对的第一面和第二面的基底，第二面具有沿第二方向交替排布的第一区和第二区；在第二面上形成介质层；在介质层远离基底的一侧依次形成均具有掺杂元素的掺杂层和硅玻璃层，掺杂元素在硅玻璃层中的摩尔百分比含量为5%~10%；去除位于第一区或第二区上的硅玻璃层；以剩余的硅玻璃层为掩膜层进行刻蚀处理，去除未被掩膜层覆盖的掺杂层和介质层，至少有利于提升背接触电池的制造效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏领域，特别涉及一种背接触电池及其制造方法、光伏组件。

技术介绍

1、太阳能电池作为一种可持续的清洁能源来源，使用越来越广泛。太阳能电池是一种利用光生伏特原理产生载流子，以将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池中通常使用栅线将载流子引出，从而将电能有效利用。目前的太阳能电池的主流类型包括bc电池（back contact，背接触电池）、topcon（tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触）电池、perc电池（钝化发射极和背面电池，passivated emitter and real cell）以及异质结电池等。

2、为进一步避免栅线对太阳能电池正面的遮挡，对bc电池（back contact，背接触电池）的研究愈发深入，但不同极性的栅线均位于太阳能电池的背面，使得在制备bc电池的过程中，需要反复使用掩膜板技术，极大地增加了工艺难度和生产成本，也降低了制备效率。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，至少有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂层和所述硅玻璃层的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层，所述半导体层包括第一半导体层，所述掺杂元素包括硼；进行所述掺杂处理后所形成的所述掺杂层包括第一掺杂层，所述硅玻璃层包括硼硅玻璃层；所述硼硅玻璃层中，氧化硅中硼的摩尔百分比含量为5%~10%。

4.根据权利要求3所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，进行所述掺杂处理的步骤包括：先进行第一扩通处理，后进行第一推结处理；...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂层和所述硅玻璃层的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层，所述半导体层包括第一半导体层，所述掺杂元素包括硼；进行所述掺杂处理后所形成的所述掺杂层包括第一掺杂层，所述硅玻璃层包括硼硅玻璃层；所述硼硅玻璃层中，氧化硅中硼的摩尔百分比含量为5%~10%。

4.根据权利要求3所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，进行所述掺杂处理的步骤包括：先进行第一扩通处理，后进行第一推结处理；

5.根据权利要求4所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，向所述反应腔室中通入的三氯化硼的气体流量为50sccm~200sccm；和/或，所述第一有氧推结处理的处理时长与所述第一无氧推结处理的处理时长的比值为1：20~1：3。

6.根据权利要求4或5所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，进行所述第一有氧推结处理的步骤中，氧气的气体流量与三氯化硼的气体流量的比值为2~10。

7.根据权利要求4所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一扩通处理采用的工艺温度为800℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖奇，邓伟伟，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：