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本申请提供一种背接触电池及其制备方法，所述背接触电池包括硅基底、设置在所述硅基底背面的金属电极，所述硅基底具有相邻的第一区域与第二区域，所述第一区域的背面形成有第一掺杂层；所述第二区域的背面朝内凹陷形成沟槽，所述沟槽的底部形成有第二掺杂层，...
该专利属于阿特斯阳光电力集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿特斯阳光电力集团股份有限公司授权不得商用。

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