芯片的转移方法、晶圆以及用于抓取芯片的转移头技术

本申请提供了，一种Micro

【技术实现步骤摘要】
芯片的转移方法、晶圆以及用于抓取芯片的转移头


[0001]本申请涉及显示
，更具体地，涉及一种Micro
‑
LED芯片的转移方法以及装置。

技术介绍

[0002]在现有的显示面板中，由于微型发光二极管Micro
‑
LED显示面板的色域、对比度、亮度、效率、可靠性和寿命等性能都比较好。因此，Micro
‑
LED显示面板被认为是下一代显示面板。
[0003]在Micro
‑
LED显示面板生产制备中，由于驱动Micro
‑
LED芯片的驱动背板和Micro
‑
LED在不同的基底上制备，因此，需要将Micro
‑
LED芯片组装到驱动背板上。例如，可以采用弹性印模拾取转移技术等巨量转移技术，将巨量的Micro
‑
LED芯片组装到驱动背板上。但是，在通过该弹性印模拾取转移技术实现Micro
‑
LED转移的过程中，转移头分别和Micro
‑
LED芯片、驱动基板均直接接触，受到转移头的材料与驱动背板材料的热膨胀系数不同的因素，会使得Micro
‑
LED芯片的转移效率受到Micro
‑
LED芯片的像素密度和转移头面积的限制，造成生产效率低，成本较高。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种Micro
‑
LED芯片的转移方法、晶圆以及用于抓取芯片的转移头，所述转移方法可以实现高效率的巨量Micro
‑
LED芯片的转移。
[0005]第一方面，提供了一种Micro
‑
LED芯片的转移方法，所述Micro
‑
LED芯片上具有疏水层，所述方法包括：将多个具有所述疏水层的所述Micro
‑
LED芯片放置于水溶液中；通过转移头抓取所述水溶液中的多个所述Micro
‑
LED芯片，所述转移头包括多个凹槽，所述凹槽用于容纳所述Micro
‑
LED芯片，所述凹槽的底部设置有亲水层，以使抓取的所述 Micro
‑
LED芯片的所述疏水层远离所述凹槽的底部；将抓取的多个所述Micro
‑
LED芯片固定至目标基板上，所述Micro
‑
LED芯片的所述疏水层贴合所述目标基板。
[0006]在上述Micro
‑
LED芯片的转移方法中，由于Micro
‑
LED芯片上的疏水层的存在、转移头的凹槽的存在和转移头的凹槽的亲水层的存在，转移头可以将水溶液中的多个 Micro
‑
LED芯片抓取到转移头的凹槽中，从而可以通过水溶液实现Micro
‑
LED芯片和转移头的自组装，进而实现大面积转移头和Micro
‑
LED芯片的快速装配，提高了Micro
‑
LED 芯片的转移效率。
[0007]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在所述将多个具有所述疏水层的所述 Micro
‑
LED芯片放置于水溶液中之前，所述方法还包括：在晶圆上制备多个所述Micro
‑
LED 芯片；在所述Micro
‑
LED芯片远离所述晶圆的一侧制备所述疏水层；将多个所述 Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。
[0008]示例性的，在晶圆上外延刻蚀多个垂直的Micro
‑
LED芯片。
[0009]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和
所述晶圆之间剥离包括：从所述晶圆远离所述Micro
‑
LED芯片的一侧照射激光，以使多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。
[0010]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之前，所述方法还包括：对多个所述Micro
‑
LED芯片中的每个 Micro
‑
LED芯片进行坏点检测，以获得坏点Micro
‑
LED芯片；所述将多个所述Micro
‑
LED 芯片和所述晶圆之间剥离包括：根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，将多个所述Micro
‑
LED 芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。
[0011]其中，坏点Micro
‑
LED芯片可以理解为该Micro
‑
LED芯片在通电的情况下不亮。和/ 或，该Micro
‑
LED芯片在通电的情况下，该Micro
‑
LED芯片的亮度和/或该Micro
‑
LED芯片发出的光线的波长不满足需求规格。
[0012]对多个Micro
‑
LED芯片中的每个Micro
‑
LED芯片进行坏点检测，以获得坏点 Micro
‑
LED芯片，并将多个Micro
‑
LED芯片中除坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED 芯片和晶圆之间剥离，从而可以只对晶圆上的良品Micro
‑
LED芯片进行转移，从而可以得到合格率较高的Micro
‑
LED芯片。
[0013]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，将多个所述Micro
‑
LED芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离包括：根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，确定待照射区域，所述待照射区域为所述晶圆上除所述坏点Micro
‑
LED芯片所占区域之外的区域；在所述待照射区域内，从所述晶圆远离所述Micro
‑
LED芯片的一侧照射激光，以使多个所述Micro
‑
LED芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。
[0014]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之前，所述方法还包括：将所述晶圆放置在所述水溶液的上方，以使在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之后，所述多个具有所述疏水层的所述Mic本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管Micro
‑
LED芯片的转移方法，其特征在于，所述Micro
‑
LED芯片上具有疏水层，所述方法包括：将多个具有所述疏水层的所述Micro
‑
LED芯片放置于水溶液中；通过转移头抓取所述水溶液中的多个所述Micro
‑
LED芯片，所述转移头包括多个凹槽，所述凹槽用于容纳所述Micro
‑
LED芯片，所述凹槽的底部设置有亲水层，以使抓取的所述Micro
‑
LED芯片的所述疏水层远离所述凹槽的底部；将抓取的多个所述Micro
‑
LED芯片固定至目标基板上，所述Micro
‑
LED芯片的所述疏水层贴合所述目标基板。2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，在所述将多个具有所述疏水层的所述Micro
‑
LED芯片放置于水溶液中之前，所述方法还包括：在晶圆上制备多个所述Micro
‑
LED芯片；在所述Micro
‑
LED芯片远离所述晶圆的一侧制备所述疏水层；将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离包括：从所述晶圆远离所述Micro
‑
LED芯片的一侧照射激光，以使多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。4.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之前，所述方法还包括：对多个所述Micro
‑
LED芯片中的每个Micro
‑
LED芯片进行坏点检测，以获得坏点Micro
‑
LED芯片；所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离包括：根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，将多个所述Micro
‑
LED芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于，所述根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，将多个所述Micro
‑
LED芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离包括：根据所述坏点Micro
‑
LED芯片，确定待照射区域，所述待照射区域为所述晶圆上除所述坏点Micro
‑
LED芯片所占区域之外的区域；在所述待照射区域内，从所述晶圆远离所述Micro
‑
LED芯片的一侧照射激光，以使多个所述Micro
‑
LED芯片中除所述坏点Micro
‑
LED芯片之外的Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离。6.根据权利要求2至5中任一项所述的转移方法，其特征在于，在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之前，所述方法还包括：将所述晶圆放置在所述水溶液的上方，以使在所述将多个所述Micro
‑
LED芯片和所述晶圆之间剥离之后，所述多个具有所述疏水层的所述Micro
‑
LED芯片放置于水溶液中，其中，所述疏水层朝向所述水溶液，且所述晶圆背离所述水溶液。7.根据权利要求1至6中任一项所述的转移方法，其特征在于，在所述通过转移头抓取所述水溶液中的多个所述Micro
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LED芯片之前，所述方法还包括：
对所述水溶液中的多个所述Micro
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LED芯片进行搅拌。8.根据权利要求1至7中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述通过转移头抓取所述水溶液中的多个所述Micro
‑
LED芯片包括：将所述转移头放置在多个所述Micro

【专利技术属性】
技术研发人员：曹轩，龙浩晖，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：