【技术实现步骤摘要】
沟道预充电方法、编程方法、装置及系统
[0001]本申请涉及存储
,特别涉及一种沟道预充电方法、编程方法、装置及系统。
技术介绍
[0002]三维(3
‑
dimension,3D)存储器通常包括多个阵列排布的存储串,每个存储串包括多个串联的存储单元。该多个存储串中,位于同一层的各个存储单元与同一根字线(word line,WL)连接。
[0003]在对选定存储单元进行编程(即写入数据)时,需要向选定存储单元所连接的选定WL加载编程电压,以使选定存储单元的沟道中的电子隧穿至浮栅。但是,该编程电压会使得与选定WL连接的去选存储单元中也产生电子隧穿,导致影响后续对该去选存储单元的编程或者数据读取。也即是,在对选定存储单元进行编程时,与选定WL连接的去选存储单元将受到编程干扰。
[0004]为了降低编程干扰,可以在向选定WL加载编程电压之前,向选定WL连接的去选存储单元的沟道加载预充电电压,以降低去选存储单元的沟道中的电子数量。由此,在对选定存储单元进行编程时,可有效降低去选存储单元中产生电子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沟道预充电方法,其特征在于,所述方法包括:在对第一字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段,采用第一预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电;在对第二字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段,采用第二预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电,所述第二字线与所述第一字线不同;其中,对所述第二字线连接的选定存储单元进行编程产生的编程干扰的严重程度,大于对所述第一字线连接的选定存储单元进行编程产生的编程干扰的严重程度;所述第二预充电方式的预充电效果优于所述第一预充电方式的预充电效果。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预充电方式和所述第二预充电方式采用不同的预充电模式;其中,所述第一预充电方式采用的预充电模式包括:导通去选存储串中的第一目标选择管,并通过所述第一目标选择管向去选存储串的沟道加载预充电电压,所述第一目标选择管为上选择管或下选择管;所述第二预充电方式采用的预充电模式包括:向去选存储串中的第二目标选择管加载偏置电压,以使所述第二目标选择管产生栅致漏极漏电GIDL,所述第二目标选择管包括上选择管和下选择管中的至少一个。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预充电方式和所述第二预充电方式采用相同的预充电模式,且所述第二预充电方式的预充电时长大于所述第一预充电方式的预充电时长。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一预充电方式和所述第二预充电方式采用的预充电模式包括:导通去选存储串中的第一目标选择管,并通过所述第一目标选择管向去选存储串的沟道加载预充电电压,所述第一目标选择管为上选择管或下选择管;或者,向去选存储串中的第二目标选择管加载偏置电压,以使所述第二目标选择管产生GIDL,所述第二目标选择管包括上选择管和下选择管中的至少一个。5.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,对所述第二字线进行编程的阶段,在对所述第一字线进行编程的阶段之后执行。6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在对第三字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段,采用第三预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电,所述第三字线与所述第一字线不同,且与所述第二字线不同;其中,对所述第三字线连接的选定存储单元进行编程产生的编程干扰的严重程度,大于对目标字线连接的选定存储单元进行编程产生的编程干扰的严重程度,所述目标字线为所述第一字线或所述第二字线;所述第三预充电方式与目标预充电方式采用相同的预充电模式,且所述第三预充电方式的预充电时长大于所述目标预充电方式的预充电时长,所述目标预充电方式是对所述目标字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段采用的预充电方式。7.一种存储器的编程方法,其特征在于,所述编程方法包括:采用如权利要求1至6任一所述的预充电方法对所述存储器中的去选存储串的沟道进
行预充电;以及,在所述预充电方法中的每个预充电阶段之后的编程阶段,对所述存储器中的选定存储单元进行编程。8.一种沟道预充电装置,其特征在于,所述装置包括:第一预充电模块,用于在对第一字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段,采用第一预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电;第二预充电模块,用于在对第二字线连接的选定存储单元进行编程之前的预充电阶段,采用第二预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电,所述第二字线与所述第一字线不同;其中,对...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵向南,刘红涛,贾建权,蒋颂敏,魏文喆,宋雅丽,王均保,闵园园,游开开,张安,靳磊,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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