半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述基材上依次层叠有所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂，所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂(β1)作为主要成分，所述膜状粘合剂含有液状的成分(α2)、或所述粘着剂层含有液状的成分(γ2)，在将由所述非硅类树脂(β1)构成的厚度为10μm的第一试验片的雾度设为H(β)、将由所述非硅类树脂(β1)与所述成分(α2)的混合物构成的厚度为10μm的第二试验片的雾度设为H(βα)、将由所述非硅类树脂(β1)与所述成分(γ2)的混合物构成的厚度为10μm的第三试验片的雾度设为H(βγ)时，满足H(βα)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置制造用片、半导体装置制造用片的制造方法及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法。本申请基于2020年3月27日于日本提出申请的日本特愿2020
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058734号主张优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片与设置于该半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个实例，例如可列举出如下方法。
[0003]即，首先，在半导体晶圆的背面上贴附切割固晶片(dicing die bonding sheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂的切割固晶片，支撑片可用作切割片。作为支撑片，例如存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最外侧表面为设置膜状粘合剂的面。切割固晶片通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂(β1)作为主要成分，进一步，至少所述膜状粘合剂含有成分(α2)或至少所述粘着剂层含有成分(γ2)，所述成分(α2)在23℃的温度下为液状，且不具有与所述膜状粘合剂所含有的主要成分进行反应的官能团，所述成分(γ2)在23℃的温度下为液状，且不具有与所述粘着剂层所含有的主要成分进行反应的官能团，将由所述非硅类树脂(β1)构成的厚度为10μm的膜状的第一试验片的雾度设为H(β)，在所述膜状粘合剂含有所述成分(α2)的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂(β1)与10质量份的所述成分(α2)的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第二试验片的雾度设为H(βα)，此时，所述H(βα)及H(β)满足下述式(X1)：(X1)H(βα)
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H(β)＞7％，在所述粘着剂层含有所述成分(γ2)的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂(β1)与10质量份的所述成分(γ2)的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第三试验片的雾度设为H(βγ)，此时，所述H(βγ)及H(β)满足下述式(X2)：(X2)H(βγ)
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H(β)＞7％。2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，进一步，至少所述膜状粘合剂含有在23℃的温度下为固体状的成分(α1)作为主要成分、或至少所述粘着剂层含有在23℃的温度下为固体状的成分(γ1)作为主要成分，所述成分(α1)及成分(γ1)为具有由(甲基)丙烯酸酯衍生的结构单元的丙烯酸树脂。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有选自由乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物及聚烯烃组成的组中的一种或两种以上作为所述非硅类树脂(β1)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物作为所述非硅类树脂(β1)，在所述乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯衍生的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例为30质量％以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置制造用片，其用于通过对所述膜状粘合剂进行冷却并进行扩展来切断所述膜状粘合剂。...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩屋涉，佐藤阳辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：