处理基板的方法技术

本发明专利技术涉及一种处理基板的方法，基板在一侧上具有带有多个器件的器件区域。该方法包括提供第一保护膜；提供第二保护膜；将第一保护膜附接至基板的一侧，使得第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触；以及将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧。在将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧之后，将激光束从基板的与一侧相反的侧施用至基板。基板由对激光束透明的材料制成。第二保护膜由对激光束透明的材料制成。在多个位置中将激光束施用至基板以便在基板中形成多个改性区域。束施用至基板以便在基板中形成多个改性区域。束施用至基板以便在基板中形成多个改性区域。

【技术实现步骤摘要】
处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月10日提交德国专利商标局的、申请号为10 2020 210 104.3的德国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本专利技术涉及一种处理基板(例如，诸如半导体晶圆的晶圆)的方法，该基板在一侧上具有带有多个器件的器件区域。

技术介绍

[0004]在器件制造工艺(例如，半导体设备制造工艺)中，将具有带有多个器件(通常通过多条分割线分割)的器件区域的基板(例如，晶圆)被分割成单独的裸片(die)。器件制造工艺通常包括例如沿着分割线切割基板的切割步骤，以获得单独的裸片。此外，还可以在与基板前侧相反的基板后侧上进行其他处理步骤(诸如，磨削和/或抛光和/或蚀刻)，在该基板前侧上形成有器件区域。
[0005]基板可以例如沿着分割线从基板前侧或基板后侧来切割。特别地，基板可以通过机械切割来切割，例如通过刀片切片(dicing)或锯切、通过等离子切割或通过激光切割。激光切割可以例如通过烧蚀激光切割(ablation la本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理基板(W)的方法，所述基板在一侧(2)上具有带有多个器件(8)的器件区域(6)，其中，所述方法包括：提供第一保护膜(22)；提供第二保护膜(14)；将所述第一保护膜(22)附接至所述基板(W)的所述一侧(2)，使得所述第一保护膜(22)的前表面(24)的至少中心区域与所述基板(W)的所述一侧(2)直接接触；将所述第二保护膜(14)附接至所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的侧(4)；以及在将所述第二保护膜(14)附接至所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)之后，将激光束(LB)从所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)施用至所述基板(W)，其中所述基板(W)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，所述第二保护膜(14)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，以及在多个位置中将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)、以便在所述基板(W)中形成多个改性区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一保护膜(22)附接至所述基板(W)的所述一侧(2)包括：将所述第一保护膜(22)施用至所述基板(W)的所述一侧(2)，使得所述第一保护膜(22)的所述前表面(24)的至少所述中心区域与所述基板(W)的所述一侧(2)直接接触；以及在将所述第一保护膜(22)施用至基板(W)的所述一侧(2)期间和/或之后，对所述第一保护膜(22)施用外部刺激、使得所述第一保护膜(22)被附接至所述基板(W)的所述一侧(2)。3.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述第一保护膜(22)施用所述外部刺激包括对所述第一保护膜(22)施用压力、和/或加热所述第一保护膜(22)、和/或冷却所述第一保护膜(22)、和/或对所述第一保护膜(22)施用真空、和/或用光照射所述第一保护膜(22)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述基板(W)的所述一侧(2)上形成至少一条分割线(12)，以及在沿着所述至少一条分割线(12)的多个位置中将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)，以便沿着所述至少一条分割线(12)、在所述基板(W)中形成多个改性区域。5.根据权利要求1至3中任一项所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：健辅长冈，泰吉汤平，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：