半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，对形成有多个半导体装置(10)的预定的晶片(1)实施以下工序：形成与半导体层的表面接合的多个表面电极金属(12)的工序；挖设对比表面电极金属(12)的外缘(12E)更靠外侧的半导体层(13)而形成半导体装置(10)的最外缘沟道(16)的工序；以及将各个半导体装置(10)从晶片(1)切出的切割工序，在切割工序后，通过检查从最外缘沟道(16)到半导体装置(10)的芯片外形位置为止的距离来实施切口检查。施切口检查。施切口检查。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，已知有将半导体装置从晶片切出的切割装置以及切口(kerf)检查方法。
[0003]切割装置是如日本特开2001
‑
129822号等所记载的那样通过在外周部固定有磨粒的刀片沿着间隔道(street)对晶片进行切削，并切断成模具(dice)状，由此从晶片得到芯片(各个半导体装置)的装置。在该切割装置中，因刀片的磨损而在晶片的间隔道产生碎屑，或者因刀片的热变形而利用刀片切削的槽(切口)的位置从间隔道的中心偏离。因此，在切割装置中，在预先设定的定时实施刀片的切口检查。即，向利用刀片切削的槽照射照明光，利用摄像机拍摄该槽，对该图像信号进行图像处理或对图像进行目视检查，对槽的位置、宽度、有无碎屑等进行检查。
[0004]以往，切口检查有时在晶片中利用刀片等进行的切断加工区域的端缘(芯片外形位置)以外周氧化膜的台阶部为基准以何种程度分离来进行。在各个芯片区域表面上的外周部设置有外周氧化膜。有时将从切本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，对形成有多个半导体装置的预定的晶片实施以下工序：形成与半导体层的表面接合的多个表面电极金属的工序；挖设比所述表面电极金属的外缘更靠外侧的所述半导体层而形成所述半导体装置的最外缘沟道的工序；以及将各个该半导体装置从所述晶片切出的切割工序，在所述切割工序后，通过检查从所述最外缘沟道到所述半导体装置的芯片外形位置为止的距离来实施切口检查。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在同一工序中实施以下工序：形成所述最外缘沟道的工序；以及挖设所述半导体层而形成沟道的工序。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在同一工序中实施以下工序：在所述最外缘沟道中埋设导电体的工序；以及在所述沟道中埋设导电体的工序。4.一种半导体装置，具备：半导体基板；半导体层，其层叠于所述半导体基板的表面；表面电极金属，其与所述半导体层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：甲谷真吾，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：