等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望形状的开口(加工槽)。在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的等离子体切割用保护膜形成剂中，使用在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及等离子体切割用保护膜形成剂、及使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件制造工序中形成的晶片是将在硅等半导体基板的表面层叠了绝缘膜和功能膜的层叠体藉由被称为迹道(street)的方格状预定分割线进行划分而得到的，由迹道划分的各区域成为IC、LSI等半导体芯片。
[0003]可通过沿着该迹道将晶片切断而得到多个半导体芯片。另外，光器件晶片中，层叠有氮化镓系化合物半导体等的层叠体由迹道划分为多个区域。通过沿着该迹道的切断，光器件晶片被分割为发光二极管、激光二极管等光器件。这些光器件已广泛用于电气设备。
[0004]过去，这样的晶片沿着迹道的切断利用被称为划片机(dicer)的切削装置来进行。但是，在该方法中，具有层叠结构的晶片为高脆性材料，因此，在利用切削刀(切片刀)将晶片裁断分割为半导体芯片等时，存在产生损伤和缺口等、或者在芯片表面形成的作为电路元件而言必需的绝缘膜发生剥离的问题。
>[0005]为了消本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.等离子体切割用保护膜形成剂，其包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)，在所述水溶性树脂(A)的热重测定中，升温至500℃时的重量减少率为80重量％以上。2.如权利要求1所述的保护膜形成剂，其中，所述吸光剂(B)的质量相对于所述水溶性树脂(A)的质量与所述吸光剂(B)的质量的总量而言的比率为1质量％以上且40质量％以下。3.如权利要求2所述的保护膜形成剂，其中，所述吸光剂(B)的质量相对于所述水溶性树脂(A)的质量与所述吸光剂(B)的质量的总量而言的比率为5质量％以上且20质量％以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成剂，其中，在所述水溶性树脂(A)的热重测定中，升温至350℃时的重量减少率为10重量％以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成剂，其中，所述水溶性...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下哲郞，植松照博，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：