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本发明提供等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望...
该专利属于东京应化工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京应化工业株式会社授权不得商用。

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