【技术实现步骤摘要】
根据存储器单元的大小生成改善的写入电压的存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2020年8月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0101344号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全文合并于此。
[0003]一些示例实施例涉及半导体设备，更具体地，涉及包括磁隧道结元件的存储器设备和/或用于测试和操作该半导体设备的方法。
技术介绍
[0004]如今，正在使用各种类型的电子设备。由于期望高速低功率的电子设备，因此电子设备会需要满足以下至少一些的存储器设备：高可靠性、高速度和低功耗。为了满足这些期望，已经提出了磁性存储器元件作为存储器设备的存储元件。因为磁性存储器元件以高速操作并且是非易失性的，所以磁性存储器元件作为下一代半导体存储器元件受到关注。
[0005]一般，磁性存储器元件可以包括磁隧道结(MTJ)，例如MTJ元件。MTJ元件可以包括两种磁性材料和插置在其间的绝缘层。MTJ元件的电阻值可以取决于这两种磁性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括第一区域和第二区域，第二区域配置为存储写入电压的值，写入电压基于用于确定被编程的存储器单元处于平行状态还是反平行状态的参考电阻器的值；电压发生器，配置为基于写入电压的值来生成代码值；以及写入驱动器，配置为基于代码值来驱动写入电流，写入电流是用于将数据存储在第一区域中的电流。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，以及所述多个存储器单元中的每个包括：单元晶体管，包括第一端、第二端和栅电极，该第一端与源极线连接并且该栅电极与字线连接；以及磁隧道结，包括第一端和第二端，磁隧道结的第一端与单元晶体管的第二端连接，并且磁隧道结的第二端与位线连接。3.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：电流源，配置为生成第一读取电流和第二读取电流；以及感测电路，包括配置为放大第一电压降和第二电压降之间的差的感测放大器，第一电压降根据第一读取电流向第一位线的施加处于第一节点处，第一位线与所选择的存储器单元连接，第二电压降根据第二读取电流向参考位线的施加处于第二节点处。4.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括：电阻器，具有与参考位线连接的参考电阻器的值。5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中存储器单元阵列中包括的晶体管的栅电极对应于栅多晶硅，以及具有参考电阻器的值的电阻器包括栅极多晶硅。6.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括：至少一个第一存储器单元，其中所述至少一个第一存储器单元与参考位线连接，所述至少一个第一存储器单元在结构上与所选择的存储器单元相同。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中写入驱动器包括：至少一个第一类型的晶体管，所述至少一个第一类型的晶体管中的每个包括与第一电源电压连接的第一端和与输出节点连接的第二端；以及至少一个第二类型的晶体管，所述至少一个第二类型的晶体管中的每个包括与第二电源电压连接的第一端和与输出节点连接的第二端。8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中代码值包括第一代码值和第二代码值，所述至少一个第一类型的晶体管配置为分别从电压发生器接收第一代码值的比特，以及所述至少一个第二类型的晶体管配置为分别从电压发生器接收第二代码值的比特。9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中第二区域包括反熔丝单元阵列。10.一种存储器设备的操作方法，该方法包括：将存储器设备写入为第一状态；通过使用具有不同值的第一多个电阻器对被编程为第一状态的存储器设备的故障比特计数，第一多个电阻器对应于多个参考电阻器中的每个；
将存储器设备写入为第二状态；通过使用第一多个电阻器对被编程为第二状态的存储器设备的故障比特计数；基于(A)与第一状态相关联的计数结果和(B)与第二状态相关联的计数结果从第一多个电阻器中选择所选择的参考电阻器；以及基于所选择的参考电阻器的值为存储器设备确定写入电压的值。11.根据权利要求10所述的方法，其中选择所选择的参考电阻器包括对于所述多个参考电阻器中的每个基于对(A)与第一状态相关联的计数结果和(B)与第二状态相关联的计数结果求和的结...
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