一种面向存储器的抗双节点翻转的读电路制造技术

本发明专利技术的一种面向存储器的抗双节点翻转的读电路，包括预充电模块、单元模块、放电模块和分别基于C单元的锁存电路和输出模块；锁存电路通过引入反馈冗余达到自适应抗多节点翻转；预充电模块的输入端连接预充电信号PRE，其输出端与所述锁存电路模块的内部节点Q1～Q6相连接；锁存电路模块的输出端与单元模块的输入端相连接；单元模块的输出端和放电模块的输入端相连接；放电模块的输出端和接地电压GND相连接；输出模块的输入端与锁存电路模块的内部节点Q1、Q3和Q5相连接。本发明专利技术不仅可实现速度快、功耗低的数据信息读取功能，而且在数据信息读取过程中具有抗单粒子双节点翻转的能力；其单元模块可兼容MRAM和基于CMOS的SRAM、DRAM和RRAM等，具有更加广泛的适用性。具有更加广泛的适用性。具有更加广泛的适用性。

【技术实现步骤摘要】
一种面向存储器的抗双节点翻转的读电路


[0001]本专利技术涉及集成电路抗辐射加固设计和存储器交叉
，具体涉及一种面向存储器的抗双节点翻转的读电路。

技术介绍

[0002]存储器是计算机体系结构中的重要组成部分，对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。目前主流存储单元基于CMOS工艺，其使用电荷表征存储的逻辑值，很容易受辐射粒子影响导致电荷突变，逻辑电平出现翻转。基于CMOS的主流的存储器主要包含静态存储器(Static Random Access Memory，SRAM)和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，DRAM里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，他们都是易失性存储器(Volatile Memory)，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失。磁随机存储器(Magnetoresistive RandomAccess Memory，MRAM)本质上不受辐射影响，使其成为空间应用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面向存储器的抗双节点翻转的读电路，包括预充电模块、单元模块和放电模块，其特征在于，还包括基于C单元的锁存电路和输出模块；所述锁存电路通过引入反馈冗余达到自适应抗多节点翻转；其中，所述预充电模块的输入端连接预充电信号PRE；所述预充电模块的输出端与所述锁存电路模块的内部节点Q1～Q6相连接；所述锁存电路模块的输出端与单元模块的输入端相连接；所述单元模块的输出端和放电模块的输入端相连接；所述放电模块的输出端和接地电压GND相连接；所述输出模块的输入端与所述锁存电路模块的内部节点Q1、Q3和Q5相连接。2.根据权利要求1所述面向存储器的抗双节点翻转的读电路，其特征在于：锁存电路模块包括18个PMOS晶体管和18个NMOS晶体管；18个PMOS晶体管分别定义为P7～P24；18个NMOS晶体管分别定义为N1～N18；晶体管P7、P10、P13、P16、P19和P22的源极均连接供电电源Vdd；晶体管P7的漏极连接晶体管P8和晶体管P9的源极；晶体管P8和晶体管P9的漏极和内部节点Q1连接；内部节点Q1连接晶体管N16和晶体管N17的漏极；晶体管N16和晶体管N17的源极连接晶体管N18的漏极；晶体管P10的漏极连接晶体管P11的源极；晶体管P11的漏极连接晶体管P12的源极；晶体管P12的漏极和晶体管N1的漏极相连接，连接点为内部节点Q2；晶体管N1的源极连接晶体管N2的漏极；晶体管N2的源极连接晶体管N3的漏极；晶体管P13的漏极连接晶体管P14和晶体管P15的源极；晶体管P14和晶体管P15的漏极和内部节点Q3连接；内部节点Q3连接晶体管N4和晶体管N5的漏极；晶体管N4和晶体管N5的源极连接晶体管N6的漏极；晶体管P16的漏极连接晶体管P17的源极；晶体管P17的漏极连接晶体管P18的源极；晶体管P18的漏极和晶体管N7的漏极相连接，连接点为内部节点Q4；晶体管N7的源极连接晶体管N8的漏极；晶体管N8的源极连接晶体管N9的漏极；晶体管P19的漏极连接晶体管P20和晶体管P21的源极；晶体管P20和晶体管P21的漏极和内部节点Q5连接；内部节点Q5连接晶体管N10和晶体管N11的漏极；晶体管N10和晶体管N11的源极连接晶体管N12的漏极；晶体管P22的漏极连接晶体管P23的源极；晶体管P23的漏极连接晶体管P24的源极；晶体管P24的漏极和晶体管N13的漏极相连接，连接点为内部节点Q6；晶体管N13的源极连接晶体管N14的漏极；晶体管N14的源极连接晶体管N15的漏极；晶体管N1、N8、N14、P10、P16和P24的栅极均连接内部节点Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佑，吴波，张德明，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学合肥创新研究院北京航空航天大学合肥研究生院，
类型：发明
国别省市：