用于切割半导体晶片的方法和由该方法制成的半导体器件技术

一种用于从半导体晶片形成半导体器件的方法，包括切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过半导体晶片的第一区域，并且第一区域具有底部。该方法进一步包括将激光束引导到半导体晶片，使得激光束在半导体晶片内的第一表面和第二表面之间聚焦，并且激光束通过材料烧蚀进一步切割半导体晶片，以形成与第一区域对准的第二区域。还公开了一种得到的半导体器件。器件。器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于切割半导体晶片的方法和由该方法制成的半导体器件


[0001]本公开涉及半导体器件的制造。更具体地，本公开涉及一种用于切割半导体晶片的方法和相关工具。此外，本公开涉及通过用于切割半导体晶片的方法制成的半导体器件。

技术介绍

[0002]通常在衬底上制造半导体器件，衬底在制造过程中为设备提供机械支撑。此外，衬底通常也有助于半导体器件的电气性能。半导体器件制造通常涉及在单个衬底晶片上制造许多半导体器件。通过形成半导体材料、绝缘体材料、金属材料和/或类似材料的薄层，在衬底晶片上形成半导体器件。在衬底晶片上得到的每个半导体器件限定晶粒。
[0003]在形成晶粒后，需要分离在半导体晶片上制造的单个晶粒。此后，可以安装和封装单个晶粒以形成单个设备。分离单个晶粒的过程有时被称为“切割”或“分割”半导体晶片。
[0004]将晶片切割成单个半导体器件通常通过许多方法中的一种来完成。一种切割晶片的方法涉及用刀片机械地锯切半导体晶片以定义单独切割的、正方形、矩形和其他形状的器件阵列。
[0005]然而，利用机械锯切割半导体晶片会导致不均匀的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于从具有第一表面和第二表面并且至少包括第一器件区域和第二器件区域的半导体晶片形成半导体器件的方法，所述方法包括：切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过所述半导体晶片的第一区域，并且所述第一区域具有底部；以及将激光束引导到所述半导体晶片，使得所述激光束在所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体晶片内聚焦，并且所述激光束通过材料烧蚀进一步切割所述半导体晶片，以形成与所述第一区域对准的第二区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一区域包括用锯将所述第一区域锯入所述半导体晶片的所述第一表面。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将激光束引导到所述半导体晶片进一步包括在所述第一区域中引导所述激光束以形成所述第二区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一区域中引导所述激光束将所述半导体晶片分离以形成第一晶粒和第二晶粒，所述第一晶粒包括所述第一器件区域，并且所述第二晶粒包括所述第二器件区域。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的所述半导体晶片的部分的深度至少为所述半导体晶片的所述部分的厚度的50％。6.根据权利要求1所述的方法，其中，引导所述激光束使得所述激光束引起所述半导体晶片的材料烧蚀。7.根据权利要求1所述的方法，其中，引导所述激光束包括用布置在所述半导体晶片的所述第一表面上方的激光设备引导所述激光束。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过在所述半导体晶片的所述第一表面上或在所述第一表面中形成至少一个器件层来制造所述第一器件区域和所述第二器件区域。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一晶体管和第二晶体管。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二高电子迁移率晶体管(HEMT)。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一发光二极管(LED)和第二发光二极管(LED)。12.一种晶粒，包括：第一表面、第二表面和器件区域；所述晶粒包括沿着所述晶粒的周边在所述第一表面和所述第二表面之间部分地延伸的第一区域；以及所述晶粒进一步包括沿着所述晶粒的所述周边在所述第一表面和所述第二表面之间的第二区域，并且所述第一区域与所述第二区域对准，其中，所述第一区域包括锯切割区域，并且所述第二区域包括激光烧蚀区域。13.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述第一区域通过将所述第一区域锯入所述晶粒的...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：