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一种用于从半导体晶片形成半导体器件的方法，包括切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过半导体晶片的第一区域，并且第一区域具有底部。该方法进一步包括将激光束引导到半导体晶片，使得激光束在半导体晶片内的第一表面和第二表面之间聚焦，并且激光束...
该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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