半导体晶片以及半导体芯片的制造方法技术

半导体晶片(1)包括：矩形状的电路形成区域(CA1)，设置于半导体晶片(1)上；电子电路，形成于电路形成区域(CA1)；第一密封圈(SR1)，以包围电路形成区域(CA1)的外周的方式分别沿着电路形成区域(CA1)的四个外周边形成；以及第二密封圈(SR2)，在电路形成区域(CA1)的四个外周边中的至少一个外周边以外的剩余的外周边与第一密封圈(SR1)并行地形成。与第一密封圈(SR1)并行地形成。与第一密封圈(SR1)并行地形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片以及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体晶片以及半导体芯片的制造方法，并涉及适于在维持由密封圈防止电路劣化的效果的同时，根据例如用户的要求来变更切割线的半导体晶片以及半导体芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]在从半导体晶片切出的各半导体芯片中，以包围电子电路的图案、配置有各种功能块的电路形成区域的外周的方式形成有由铜(Cu)、铝(Al)等构成的密封圈。通过该密封圈，例如水分难以从半导体芯片的切断部周边向电路内部浸透，因此可抑制电路内部的信号传递的劣化。其结果，半导体芯片的可靠性得以提高。
[0003]在专利文献1中公开了与密封圈相关的技术。具体而言，在专利文献1中，以包围电路形成区域的外周的方式形成有双重密封圈。由此，例如，即使在因切割时的碎裂而使外侧的密封圈被破坏的情况下，也能够通过内侧的密封圈防止电路内部被破坏。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2012/095907号。

技术实现思路

[0007]然而，将来，半导体晶片的制造商可以预想到不将形成有电路图案的半导体晶片切割为半导体芯片，而是将半导体晶片原封不动地提供给拥有切片机(进行切割的装置)的顾客(用户)。进而，半导体晶片的制造商也可以预想到将形成有共同的电路图案的半导体晶片提供给多个顾客。
[0008]在此，在通过切割而从半导体晶片切出半导体芯片的情况下，有时会在半导体芯片中产生碎裂。碎裂是指芯片端面的切割切口处的缺口、龟裂等。通常，即使产生碎裂，根据碎裂的程度有时也可以容忍。
[0009]例如，在使用上述半导体芯片形成反射型液晶显示装置的情况下，反射型液晶显示装置不进行封装，而是通过将半导体芯片与玻璃贴合而形成。即，半导体芯片的端面(切割切口)处于露出的状态。因此，根据在半导体芯片的端面产生的碎裂的程度，有可能在组装液晶时产生不良情况，或因碎裂部位的吸湿导致产生电路劣化等。
[0010]在此，切片机的性能、设计制约(例如形成于半导体芯片端面的碎裂的允许量)等因用户而不同，因此半导体晶片的切割条件、具体而言半导体晶片的切割线的宽度根据用户而是各种各样的。特别是在半导体芯片用于反射型液晶显示装置的形成的情况下，根据液晶组装方法的差异、反射型液晶显示装置的使用方法的差异等，有时也必须变更半导体晶片的切割条件。
[0011]然而，在为了满足多个用户各自的要求而设计具有不同的切割线宽度的多种半导体晶片的情况下，存在设计成本增加的问题。另一方面，在对共用的半导体晶片进行切割条
件不同的切割的情况下，有可能越过切割线而进行切割，在该情况下，存在密封圈被破坏的可能性。
[0012]本专利技术是鉴于以上的点而完成的，其目的在于提供一种半导体晶片以及半导体芯片的制造方法，能够在维持由密封圈防止电路劣化的效果，并且例如根据用户的要求而进行切割线的变更。
[0013]本实施方式的一个方式中的半导体晶片包括：矩形状的电路形成区域，设置在半导体晶片上；电子电路，形成在所述电路形成区域；第一密封圈，以包围所述电路形成区域的外周的方式沿着该电路形成区域的四个外周边的每一个形成；以及第二密封圈，与所述第一密封圈并行地形成在所述电路形成区域的所述四个外周边中的至少一个外周边以外的剩余的外周边上。
[0014]本实施方式的一个方式中的半导体芯片的制造方法，该制造方法使用半导体晶片，该半导体晶片包括：矩形状的多个电路形成区域，在半导体晶片上被划分为矩阵状；电子电路，形成在各所述电路形成区域；第一密封圈，以包围各所述电路形成区域的外周的方式沿着该电路形成区域的四个外周边的每一个而形成；以及第二密封圈，与所述第一密封圈并行地形成在各所述电路形成区域的所述四个外周边中的至少一个外周边以外的剩余的外周边，在所述半导体芯片的制造方法种，通过沿着第一切割线和第二切割线的任一个切割而切出半导体芯片，所述第一切割线由设置于相邻的所述电路形成区域之间的第一密封圈规定，所述第二切割线使用设置于相邻的所述电路形成区域之间的第一密封圈以及第二密封圈中的至少第二密封圈规定。
[0015]根据本实施方式，能够提供一种能够维持由密封圈防止电路劣化的效果，并且例如能够根据用户的要求来进行切割所使用的切割线的变更的半导体晶片、以及半导体芯片的制造方法。
附图说明
[0016]图1是实施方式1中的半导体晶片的概略平面图。
[0017]图2是将形成于图1所示的半导体晶片的多个半导体芯片放大后的概略平面图。
[0018]图3是密封圈及其周边区域的概略截面图。
[0019]图4是密封圈及其周边区域的概略平面图。
[0020]图5是表示用于液晶显示装置的形成的半导体芯片的电路配置状况的概略平面图。
[0021]图6是将图5所示的半导体芯片的一部分放大后的平面图。
[0022]图7是使用图5所示的半导体芯片形成的液晶显示装置的概略立体图。
[0023]图8是将形成于实施方式2中的半导体晶片的多个半导体芯片放大后的概略平面图。
[0024]图9是将形成于实施方式3中的半导体晶片的多个半导体芯片放大后的概略平面图。
具体实施方式
[0025](实施方式1)
[0026]图1是实施方式1中的半导体晶片1的概略平面图。如图1所示，在半导体晶片1中，作为半导体芯片10而切出的多个矩形区域(以下，称为半导体芯片10)形成(划分)为矩阵状。通过沿着切割线(更详细地，是切割线的中心线)切割该半导体晶片1，切割出多个半导体芯片10。
[0027]图2是将形成于半导体晶片1的多个(在图2的例子中为四个)半导体芯片10放大的概略平面图。如图2所示，各半导体芯片10具备矩形状的电路形成区域CA1、密封圈(第一密封圈)SR1以及密封圈(第二密封圈)SR2。
[0028]在各半导体芯片10的电路形成区域CA1配置有电子电路的图案、各种功能块。
[0029]以包围电路形成区域CA1的外周的方式，沿电路形成区域CA1的四个外周边分别形成密封圈SR1。以下，将电路形成区域CA1的四个外周边中的沿着纸面的上侧、下侧、右侧、左侧(以电路形成区域CA1为基准，是y轴方向正侧、y轴方向负侧、x轴方向正侧、x轴方向负侧)形成的密封圈SR1分别称为密封圈SR1_U、SR1_D、SR1_R、SR1_L。
[0030]由沿着电路形成区域CA1的上侧以及右侧形成的密封圈SR1_U、SR1_R各自的端部形成右上的角部T1_UR。由沿着电路形成区域CA1的上侧和左侧形成的密封圈SR1_U、SR1_L各自的端部形成左上的角部T1_UL。由沿着电路形成区域CA1的下侧及右侧形成的密封圈SR1_D、SR1_R各自的端部形成有右下的角部T1_DR。由沿着电路形成区域CA1的下侧及左侧形成的密封圈SR1_D、SR1_L各自的端部形成有左下的角部T1_DL。
[0031]密封圈SR2在电路形成区域CA1的四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体晶片，包括：设置在半导体晶片上矩形状的电路形成区域；电子电路，形成在所述电路形成区域；第一密封圈，以包围所述电路形成区域的外周的方式沿着该电路形成区域的四个外周边的每一个形成；以及第二密封圈，与所述第一密封圈并行地形成在所述电路形成区域的所述四个外周边中的至少一个外周边以外的剩余外周边上。2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，在所述半导体晶片上具备划分为矩阵状的多个矩形状的所述电路形成区域。3.如权利要求1或2所述的半导体晶片，其中，所述第二密封圈形成为与所述第一密封圈的一部分接触。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片，其中，在由所述第一密封圈和所述第二密封圈包围的区域形成有虚设图案。5.一种半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩佐隆行，
申请(专利权)人：JVC建伍株式会社，
类型：发明
国别省市：