半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一方面所涉及的切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、胶黏剂层及压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层配置于基材层与胶黏剂层之间且具有通过活性能量射线的照射而相对于胶黏剂层的胶接力预先下降的第一区域，在温度23℃下、剥离角度30

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法

技术介绍

[0002]半导体装置经过以下的工序而制造。首先，在将切晶用压敏胶黏剂膜(pressure
‑
sensitive adhesive film)贴附于晶圆的状态下实施切晶工序。之后，实施扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序及粘晶(die bonding)工序等。
[0003]在半导体装置的制造工艺中，使用被称为切割晶粒接合一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、分选方法(pressure
‑
sensitive adhesive)层及胶黏剂(adhesive)层的结构，例如以如下方式使用。首先，在对晶圆贴附胶黏剂层侧的面并且利用切割环(dicing ring)将晶圆固定的状态下，对晶圆进行切晶。由此，将晶圆单片化成多个芯片(chip)。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而减弱压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(adhesive for本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其包括：(A)准备切割晶粒接合一体型膜的工序，依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层具有第一区域，所述第一区域通过活性能量射线的照射而相对于所述胶黏剂层的胶接力预先下降；(B)对晶圆进行隐形切割或者利用刀片进行半切割的工序；(C)在所述胶黏剂层中的与所述第一区域对应的区域贴附所述晶圆的工序；(D)通过在冷却条件下扩张所述基材层，获得将所述晶圆及所述胶黏剂层单片化而成的带有胶黏剂片的芯片的工序；(E)通过对所述压敏胶黏剂层照射活化能量射线，使所述压敏胶黏剂层相对于所述带有胶黏剂片的芯片的胶接力降低的工序；(F)在扩张所述基材层的状態下，从所述压敏胶黏剂层拾取所述带有胶黏剂片的芯片的工序；及(G)将所述带有胶黏剂片的芯片安装于基板或其他芯片上的工序,对(A)工序中的所述切割晶粒接合一体型膜，在温度23℃下、剥离角度30
°
及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为6.0N/25mm以上且12.5N/25mm以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，(D)工序中所获得的所述带有胶黏剂片的芯片在俯视时具有正方形或长方形的形状且具有6.0mm以上的边。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述压敏胶黏剂层具有相对于所述胶黏剂层的胶接力比所述第一区域更大的第二区域，在(C)工序的同时或(D)工序之前，在所述第二区域贴附切割环。4.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备：基材层；胶黏剂层；及压敏胶黏剂层，配置于所述基材层与所述胶黏剂层之间且具有通过活性能量射线的照射预先下降相对于所述胶黏剂层的胶接力的第一区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：田泽强，木村尚弘，森修一，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：