【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用片及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置制造用片及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法。
[0002]本申请基于2020年3月27日于日本提出申请的日本特愿2020
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058734号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
[0003]在制造半导体装置时，使用具备半导体芯片与设置在该半导体芯片的背面上的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0004]作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个实例，例如可列举出以下所述的制造方法。
[0005]首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片。
[0006]作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片与设置在所述支撑片的面上的膜状粘合剂的切割固晶片。支撑片可以用作切割片。作为支撑片，例如存在以下几种构成不同的支撑片：具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最表面为设有膜状粘合剂的面。切割固晶片利用其中的膜状粘合...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述膜状粘合剂含有抗静电剂，所述抗静电剂的含量相对于所述膜状粘合剂的总质量的比例为3质量％以下，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，所述膜状粘合剂的所述中间层侧的表面的表面电阻率为1
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Ω以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，通过X射线光电子能谱法对所述中间层的所述膜状粘合剂侧的面进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例为1～20％。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯
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醋酸乙烯酯共聚物或聚烯烃。4.根据权利要求3所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯
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醋酸乙烯酯共聚物，在所述乙烯
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醋酸乙烯酯共聚物中，衍生自醋酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例为10～40质量％。5.根据权利要求4所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯
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