SOIMOS器件的边缘电容仿真方法和装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体集成电路器件仿真技术领域，具体涉及一种SOI MOS器件的边缘电容仿真方法和装置。仿真方法包括以下步骤：获取SOI MOS器件的结构参数和栅多晶硅单位宽度边缘电容值；基于SOI MOS器件的结构参数，确定SOI MOS器件的体多晶硅的种类；基于SOI MOS器件的结构参数，计算SOI MOS器件的栅多晶硅与源漏区的第一交叠区宽度；第一交叠区宽度为有效沟道宽度；基于SOI MOS器件体多晶硅的种类，确定SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值；SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值预先设定，且与体多晶硅的种类对应；使得有效沟道宽度、栅多晶硅单位宽度边缘电容值、体多晶硅边缘电容值输入预先构建的边缘电容仿真模型，计算确定SOI MOS器件的边缘电容值。仿真装置用于执行该仿真方法。法。法。

Simulation method and device of edge capacitance of soimos devices

【技术实现步骤摘要】
SOI MOS器件的边缘电容仿真方法和装置


[0001]本申请涉及半导体集成电路器件仿真
，具体涉及一种SOI MOS器件的边缘电容仿真方法和装置。

技术介绍

[0002]以SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)为衬底的集成电路芯片因具有抗辐照能力强、器件之间隔离简单、寄生电容小、抗闩锁效应强等优点，尤其是SOI MOS器件在短沟道效应的控制上有优异的表现，和体硅晶体管相比有更好的更高的可缩微性，使得SOI在半导体集成电路领域被广泛应用。
[0003]在相关技术中，通过仿真模型对SOI MOS器件进行C
‑
V(电容
‑
偏压)进行分析，确定该SOI MOS器件的C
‑
V特性曲线，以深化对SOI MOS工艺或器件的物理研究。
[0004]然而，随着集成电路特征尺寸的不断缩小，集成电路制造工艺和器件结构特性趋于复杂，通过相关技术的仿真模型对SOI MOS器件进行C
‑
V(电容
‑
偏压)进行仿真分析的仿真结果往往会出现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOI MOS器件的边缘电容仿真方法，其特征在于，所述SOI MOS器件的边缘电容仿真方法包括以下步骤：获取所述SOI MOS器件的结构参数和栅多晶硅单位宽度边缘电容值；基于所述SOI MOS器件的结构参数，确定所述SOI MOS器件的体多晶硅的种类；基于所述SOI MOS器件的结构参数，计算所述SOI MOS器件的栅多晶硅与源漏区的第一交叠区宽度；所述第一交叠区宽度为有效沟道宽度；基于所述SOI MOS器件体多晶硅的种类，确定所述SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值；所述SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值预先设定，且与所述体多晶硅的种类对应；使得所述有效沟道宽度、所述栅多晶硅单位宽度边缘电容值、所述体多晶硅边缘电容值输入预先构建的边缘电容仿真模型，计算确定所述SOI MOS器件的边缘电容值。2.如权利要求所述的SOI MOS器件的边缘电容仿真方法，其特征在于，所述使得所述有效沟道宽度、所述栅多晶硅单位宽度边缘电容值、所述体多晶硅边缘电容值输入预先构建的边缘电容仿真模型，计算确定所述SOI MOS器件的边缘电容值的步骤中，所述边缘电容仿真模型为：CFR＝CFRW
‑
gate
×
Wgeff+CFR
‑
body(bodytype)；其中，CFR表示所述SOI MOS器件的边缘电容值，CFRW
‑
gate表示所述SOI MOS器件的栅多晶硅单位宽度边缘电容值，Wgeff表示所述SOI MOS器件的有效沟道宽度，CFR
‑
body(bodytype)表示对应体多晶硅的种类的所述SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值。3.如权利要求1所述的SOI MOS器件的边缘电容仿真方法，其特征在于，所述基于所述SOI MOS器件体多晶硅的种类，确定所述SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值的步骤中，所述SOI MOS器件体多晶硅的种类包括T形和H形。4.如权利要求3所述的SOI MOS器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东阳，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：