温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体集成电路器件仿真技术领域，具体涉及一种SOI MOS器件的边缘电容仿真方法和装置。仿真方法包括以下步骤：获取SOI MOS器件的结构参数和栅多晶硅单位宽度边缘电容值；基于SOI MOS器件的结构参数，确定SOI MOS器件的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。