或非门逻辑电路及其形成方法技术

本发明专利技术涉及或非门逻辑电路及其形成方法。该或非门逻辑电路，包括：两个输入端，分别用于接收输入电压信号；两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极分别耦接至两个输入端，其源电极分别耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明专利技术利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或非门逻辑电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物半导体材料和器件领域，尤其是涉及一种基于背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑(Direct-coupledFETLogic, 简称DCFL)的。
技术介绍
ZnO是一种n - VI族直接带隙的新型多功能化合物半导体材料，被称为 第三代宽禁带半导体材料。ZnO晶体为纤锌矿结构，禁带宽度约为3.37eV， 激子束缚能约为60meV。 ZnO具备半导体、光电、压电、热电、气敏和透明 导电等特性，在传感、声、光、电等诸多领域有着广阔的潜在应用价值。近年来，对ZnO材料和器件的研究受到广泛关注。研究范围涵盖了ZnO 体单晶、薄膜、量子线、量子点等材料的生长和特性以及ZnO传感器、透明 电极、压敏电阻、太阳能电池窗口、表面声波器件、探测器及发光二极管 (Light-emitting Diodes ，缩写LED)等器件的制备和研究方面。目前，已形 成多种方法用于ZnO材料的生长，并且研制出若干种类的ZnO器件及传感器， 但是P型ZnO材料的生长，ZnO纳米器件的制备及应用等问题依然需要深入 和系统的研究。ZnO是目前拥有纳米结构和特性最为丰富的材料，已实现的纳米结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种或非门逻辑电路，其特征在于，包括：　第一输入端，用于接收第一输入电压信号；　第二输入端，用于接收第二输入电压信号；　第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至第一输入端，其源电极耦接至接地点；　第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至第二输入端，其源电极耦接至接地点；　一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极、以及所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐静波，张海英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]